2.1发光二极管电阻的选择
数据手册中，IF是发光二极管的允许最大正向电流，值是80mA。这是需要考虑的第一个条件。
再看第二张图，VF是二极管上的电压，图中给出，当IF是10mA的时候，VF的值最大是1.4V。这是需要考虑的第二个条件。
我们需要考虑的第三个条件就是，你使用3.3V的电压驱动？还是用5V的电压驱动？
确定最小初级电阻
在手册中找到前向电压和前向电流的关系曲线，用来确定初级最小限流电阻。
如下图所示，光耦在最大正向电流IF=60mA的时候，前向电压约为1.4V。
如果你用的是3.3V电压驱动的话，最小的限流电阻就是(3.3V-1.4V)/0.08A=23.75欧姆…..
如果你用的是5V电压驱动的话，最小的限流电阻就是（5V-1.4V）/0.08A=45欧姆…..
小于这个电阻值，光耦就死翘翘了…..
所以我们这里的电阻选择，就要大于计算出的这些结果。这里，可以选择330欧姆，470欧姆，510欧姆，1K，都可以使得发光二极管发亮后驱动里面的三极管导通。但是，电阻值如果选的太大的话，会造成发光二极管不亮。
确定初级电阻Rs
上一步计算的是最小初级电阻，实际应用的时候还需要考虑以下因素，下图为光耦ton和toff与IF的关系，如没有具体的ton和toff的要求，我们就取5mA。
再根据图2得到IF=5mA下的VF约为1.1V。
如果现在的初级工作电压为5V，则初级电阻为：
Rs=(5-1.1)/0.005=780
取一个标准值820Ω。
2.2三极管电阻的选择
确定最小次级电阻
在第一张图中，我们找到OUTPUT中的Ic，这个就是三极管允许通过的最大电流，是50mA，我们在做电路的时候，就需要注意一下。
例如，当三极管的负载电压是12V时，因为三极管当开关用，Vce会很小，所以这里我们忽略不计，那么R=12V/0.05A=240欧姆…..
以上计算是在忽略VCE的情况下得到的。由于VCE一般比较小且非线性，所以在这里忽略。
实际电阻取值必须大于这个电阻值，以保证光耦不损坏。
这里我一般选择1K，2K，4.7K，10K的电阻。
确定实际次级电阻RL
如下图所示，次级电流IC会影响次级的ton和toff，如没有具体的ton和toff的要求，我们就取5mA。
如果现在的初级工作电压为5V，则次级电阻为：
RL=5/0.005=1kΩ
测试并调整实际电路可能还需要进行调整
如果想要提高上升时间的话，可以逐步降低初次级电阻，但是要注意功耗和最小电阻取值。如果电阻取值太大，前向电流太小，可能会出现无法导通的情况，此时应降低电阻值。
下面是基本的电路图：
注意事项
光耦存在固定的传输延迟，想要提高传输带宽，还是应选择高速光耦。
设计时应注意功耗和速度的平衡。
输入参数：
正向工作电压Vf：给定的工作电流下，LED自身压降；
反向电压Vr：LED能承受的最大反向电压，超过可能损坏；
允许功耗Pd：LED能承受的最大功耗，超过可能损坏；
正向工作电流If：LED正常发光时所流过的正向电流值；
输出参数：
集电极电流Ic：光敏三极管集电极所流过的电流，通常指其最大值；
集电极发射极电压Vceo：集电极发射极所能承受的电压；
其他参数：
电流传输比CTR：
光敏三极管与发光管的电流比最小值；
稳定工作时：Ic/If≥CTR即If*CTR≥Ic；（Ib*CTR=Ic）
反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。
正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。
结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。
输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。
反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。
电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
脉冲上升时间tr，下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。
传输延迟时间tPHL，tPLH：从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。
入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。
