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SRAM VS DRAM

DRAM工作原理

DRAM采用栅极电容上的电荷存储信息，由于DRAM上的电容电荷一般只能维持1-2ms，即使电源不断电，信息也会自动消失。因此每隔一定时间必须刷新。

1. 集中刷新，利用固定的时间对所有的行进行刷新，刷新期间内停止对存储器的读写操作（死区，死时间）
2. 分散刷新，延长了存取周期，将刷新工作放在读写操作之后，好处是没有死时间，但是存取周期变长了
3. 异步刷新，综合前两点的优势，缩短了死时间，但还是无法避免死时间。

ROM的具体类型

1. PROM：一次性编程的只读存储器，一旦写入，无法改变。
2. EPROM：可以对内容进行多次修改，但次数有限，且写入时间过长。
3. FLASH存储器：在EPROM和EEPROM的基础上发展而来，可在不加电的情况下长期保存信息，能够进行快速的擦除重写。
4. 固态硬盘SSD：用FLASH存储器长期保存信息，速度比传统的硬盘快很多。

多模块存储器（DRAM相关）

1.单体多字存储器
特点：存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储m个字，一次并行读出m个字，但如果数据存储不连续，则效果不明显。

2.多体并行存储器 重点！！

高位交叉编址：高位地址表示体号，低位地址为体内地址。如下图。

假设连续访问地址0001H和0002H地址的内容，由于地址的解析方式低位表示体内地址，这两个存储空间的内容属于同一个块，而DRAM需要刷新，因此不能连续访问同一个块的内容。

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低位交叉编址：高位地址表示体内地址，低位地址为体号。如下图。

假设连续访问地址0001H和0002H地址的内容，由于地址的解析方式低位表示体号，这两个存储空间的内容不属于同一个块，因此不需要考虑DRAM刷新，可以并行访问，因此低位交叉存储是考试的重点。

重点题目讲解

32K = 2 ^ 15，因此地址线需要15根，数据线16根，选C。

分散刷新不存在死时间，因为扩大了存取周期。

四体并行，一个存取周期可读取四个存储体的内容，因此200ns内存储器可以提供32*4=128位的信息，C选项错在并不是每个模块。

这些题目的讲解放在了我的B站视频中
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