目录
一、RAM
1.RAM特点
2.静态RAM
2.1静态RAM保存原理
2.2静态RAM基本单元电路的构成
2.3静态RAM读写操作
3.动态RAM
3.1动态RAM保存原理
3.2动态RAM基本单元电路的构成
3.3动态RAM对单元电路的读写操作
3.4动态RAM的刷新
4.静态RAM与动态RAM的比较
二、ROM
1.ROM发展
三、存储器容量扩展
1.位扩展(增加存储字长)
2.字扩展
3.字与位同时扩展
一、RAM
1.RAM特点
2.静态RAM
2.1静态RAM保存原理
静态RAM使用的是触发器进行存储数据，触发器由四根晶体管构成，属于双稳态触发器，具有源端和非端用于存储数据，一方为0另一方为1，一方为1，另一方为0。
2.2静态RAM基本单元电路的构成
2.3静态RAM读写操作
（1）读操作
读数据时，虽然T5开，T7开，但是非端数据到写放大器就终止了。
（2）写操作
写数据时，左边的写放大器把右边的写放大器的值取非后进行输出，保证A和非A端的值相反。
3.动态RAM
3.1动态RAM保存原理
动态RAM使用电容，电容中保存了电荷为1，电容没有被充电为0。
3.2动态RAM基本单元电路的构成
3.3动态RAM对单元电路的读写操作
（1）左侧电路读写操作
读操作： T4为预充电信号，如果预充电信号有效，T4会被打开，Vdd通过T4对读数据线进行充电，使得读数据线成为高电平，如果是进行读操作，则读选择信号有效，T2打开，如果此时CG中保存的数据是0，也就是CG没有充电，则T1不会导通，则读数据线就会保持高电平，所以，如果保存的数据是0，则在读数据时候，读出的数据是1。如果CG电容中保存的数据是1，T1导通，此时读数据线上的电平通过T2，T1线路进行放电，读数据线低电平，读出的数据为0。所以电容读出的信息和原存的信号是相反的。
写操作： 写入和输入信息相同。如果是写操作，写选择线有效，T3导通 写数据线会通过T3向CG充电，或者CG通过T3进行放电，如果写入的数据是1高电平，写数据线会通过T3向CG充电，CG写入1.如果写入是0，则CG通过T3进行放电，CG放电为0。
（2）右侧电路读写操作
读操作： 如果相应的行被选中，字线连接的T被打开，电容就会通过T进行充电或者放电，如果CG中有电位1，此时放电，则数据线有电流，如果CS中没有充电，则数据线无电流，通过数据数据线有无电流判断CS中保存的是1还是0。
写操作： 写入时，写入1，数据线有电流，进行充电为1。写入0，数据线无电流，放电为0。
3.4动态RAM的刷新
（1）为什么要刷新
由于动态RAM使用电容存储信息，电容容易漏电，经过一段时间，电容漏电，会导致数据有1变为0,。动态RAM刷新只和行地址有关，和列地址无关，每次刷新的是一行中的所有基本电容电路。给出行地址，某一行被全部选中，这个行上所有电容中的信息都会被送到读电路，如果在读数据线和写数据线之间增加一个刷新放大器（每一列都加），就会完成对一行数据的刷新。
（2）刷新方法
分散刷新虽然没有死区，但是刷新过于频繁，并且延长了CPU的读写周期。
集中刷新每隔2ms对128进行全部刷新，存取周期为0.5us，所以刷新每行也需要0.5us，2ms内，刷新需要64us。在这段死区内，CPU无法对动态RAM进行读写操作。
异步刷新若将刷新安排在指令译码阶段，就不会出现死区
4.静态RAM与动态RAM的比较
DRAM用于做主存，SRAM用于主存和CPU之间的缓存。这样就可以降低成本同时加快访问速度。
二、ROM
1.ROM发展
三、存储器容量扩展
1.位扩展(增加存储字长)
上图为用两个 1k * 4 位存储芯片组成一个1K * 8位的存储芯片。在读取数据的时候，通过cs片选线同时选中两个芯片，将每个芯片中的四位组成8位传送到数据线上。
2.字扩展
图中是将连个1k * 8的存储芯片组成一个2k * 8的存储芯片。共需要11根地址线 ，8根数据线，其中10根地址线选中具体的一个地址，第十根地址线用作片选线，当第十根为0时候，使用芯片1，当第十根为1时候，使用芯片2。
3.字与位同时扩展
用8片 1K * 4位的芯片组成4K * 8位的芯片。其中有12根地址线，8根数据线，其中两根地址线作为片选线，一个片选地址选中两片芯片。
