ZYNQ芯片的电源分PS系统部分和PL逻辑部分，两部分的电源分别是独立工作。PS系统部分的电源和PL逻辑部分的电源都有上电顺序，不正常的上电顺序可能会导致ARM系统和FPGA系统无法正常工作。
PS部分的电源有VCCPINT、VCCPAUX、VCCPLL和PS VCCO。
VCCPINT为PS内核供电引脚，接0.85V；
VCCPAUX为PS系统辅助供电引脚，接1.8V；
VCCPADC为PS ADC供电；
VCCPLL为PS的内部时钟PLL的电源供电引脚，也接1.2V；
MGTRAVCC 0V85V
PS VCCO为BANK的电压，包含VCCO_MIO0，VCCO_MIO1和VCCO_DDR，根据连接的外设不同，连接的电源电源也会不同，VCC_MIO0连接3.3V，VCCO_MIO1连接1.8V，VCCO_DDR连接1.5V。PS系统要求上电顺序分别为先VCCPINT供电，然后VCCPAUX和VCCPLL，最后为PS VCCO。断电的顺序则相反。
PL部分的电源有VCCINT, VCCBRAM, VCCAUX和 VCCO。
VCCPINT为FPGA内核供电引脚，接0.85V；
VCCBRAM为FPGA Block RAM的供电引脚；接0.85V；
VCCAUX为FPGA辅助供电引脚, 接1.8V；
VCCO为PL的各个BANK的电压，包含BANK13，BANK34，BANK35，BANK的电压连接3.3V。PL系统要求上电顺序分别为先VCCINT供电，再是
VCCBRAM, 然后是VCCAUX，最后为VCCO。如果VCCINT和VCCBRAM的电压一样，可以同时上电。断电的顺序则相反。
VCCINT
VCCINT是FPGA芯片的内核电压，是用来给FPGA内部的逻辑门和触发器上的电压。即芯片的晶体管开关是有核心电压提供。当内部逻辑工作时钟速率越高，使用逻辑资源越多，则核心电压供电电流会更大，可高达几安，此时芯片必然会发烫，需要散热装置辅助散热
VCCIO
VCCIO（有些地方也记为VCCO）是用于FPGA驱动IO模块（同IO引脚）的电压。该电压应该与其它连接到FPGA上的器件的电压匹配，因为FPGA经常要与多种不同电平接口的芯片通信，所以都会支持非常多的电平标准，这也是它的灵活性表现。FPGA为了能和多种不同的电平标准接口芯片通信，Vccio通常以Bank为界，相互之间是独立的，即一个Bank块只能存在一种IO电压。一颗FPGA芯片具有多个Bank块，每个Bnak可以与一种电平接口芯片通信，如Bank34与3.3V的MCU通信，Bank35与2.5V的DDR芯片通信。需要注意的VCCO里面分为HR bank电压和HP bank电压，其中HR bank电压一般为3.3V设计，但是遇到网络接口时一般设计为2.5V；HP为高速bank，常常用于ddr设计，电压为1.5V
FPGA通常需要两个电压才能运行：一个是“内核电压”，另一个是“IO电压”。每个电压通过独立的电源引脚来提供。实际上，FPGA器件本身是允许VCCINT和VCCIO相同的（比如VCCINT和VCCIO两种引脚可以被连接在一起）。但是FPGA设计是面向低电压内核和高电压IO的，所以两种电压一般是不相同的。
VCCAUX
FPGA并非一个单纯的数字逻辑芯片，内部也带有一些模拟组件，比如Xilinx的DCM数字时钟管理组件、高档点的FPGA还有高速串并转换器serdes、温度监控器件等这些模拟器件，这些模拟器件对电源噪声要求很高，所以需要一个独立稳定的电源进行供电。Vccaux就是为这些模拟器件提供电压，另外Vccaux还可以给部分IO供电，像JTAG等。
VCCBRAM
内部Block RAM的供电电压。其不损坏FPGA器件的范围为-0.5V1.1V。对于-2和-1的spartan7系列，正常工作电压为0.95V1.05V，推荐工作电压为1.00V。对于 -1L的spartan7系列，正常工作电压为0.92V~0.98V，推荐工作电压为0.95V。
VMGTAVCC
GTP收发器核心电压。其不损坏FPGA器件的范围为-0.5V1.1V。正常工作电压为0.97V1.03V。推荐工作电压为1.00V。(xilinx的FPGA芯片)
VMGTAVTT
GTP收发器终端匹配电压。其不损坏FPGA器件的范围为-0.5V1.32V。正常工作电压为1.17V1.23V。推荐工作电压为1.20V。(xilinx的FPGA芯片)
*GTP收发器的上电顺序为VCCINT、VMGTAVCC、VMGTAVTT或者VMGTAVCC、VCCINT、VMGTAVTT。断电顺序正好相反。
各电压上电顺序要求，具体如下：
（1）VCCINT → VCCBRAM → VCCAUX → VCCAUX_IO → VCCO ；
（2）VMGTAVCC → VMGTAVTT → VMGTAVTTRCAL → VMGTVCCAUX。
影响一个bank所能使用的IO数量因素：
每对VCCIO到GND 可以按100mA来估算，要看那个bank有几对VCCIO。就是说，假如某个bank，我只有一个VCCIO我用的Io的DriveStrength为4ma,那么我大概这个bank只能用25个Io。如果这个bank的VCCIO有俩对，那么我能用50个IO(如果有这么多IO情况下)。
但是这针对的是非大电流驱动与快速压摆率的一个值。如果这个bank你的某些Io脚是可能同时开关输出(sso),那么此bank，这样的信号脚数量有一个限制值，限制值是看TR304手册
那么当对此bank的使用率要求比较高，可能要超过TR304关于sso的理论上限值，可以让客户用软硬件设计时一些操作来降低sso带来的影响。手册里sso缓解措施已经给出类似bank电源隔离、包括软件设计延缓同步输出Io数量等方法。
rocessor System电压，主要给Zynq系列SoC中的ARM供电，包括VCC_PSINTFP、VCC_PSINTLP、VCC_PSAUX、VCC_PSINTFP_DDR、VCC_PSADC、VCC_PSPLL、VPS_MGTRAVCC、VPS_MGTRAVTT、VCCO_PSDDR、VCC_PSDDR_PLL、VCCO_PSIO、VCC_PSBATT等；
FPGA Logic电压，主要给FPGA逻辑部分供电，包括VCCINT、VCCINT_IO、VCCBRAM、VCCAUX、VCCO、VCCAUX_IO、VBATT等；
GTx Transceiver电压，主要给FPGA部分的GTx高速收发器供电，包括VCCINT_GT、VMGTAVCC、VMGTAVTT、VMGTVCCAUX、VMGTAVTTRCAL；
System Monitor电压，主要给FPGA部分的ADC供电，包括VCCADC、VREFP；
High Bandwidth Memory电压，包括VCC_HBM、VCC_IO_HBM、VCCAUX_HBM；
VCU电压，只有Zynq UltraScale+ MPSoC系列带图像处理内核的器件才有，包括VCCINT_VCU；
RF电压，只有Zynq UltraScale+ RFSoC系列才有，包括VADC_AVCC、VADC_AVCCAUX、VDAC_AVCC、VDAC_AVCCAUX、VDAC_AVTT、VCCINT_AMS、VCCSDFEC；
以上各种电压的供电对象不同，对精度的要求也不一样，针对不同架构的FPGA，其对电压的精度要求也不一样，其纹波范围从2%到5%不等，但整体要求都比较高，而电流要求却越来越大，比如VCCINT最大能到几十安。同时各种电压值不同，有的可以合并，有的却不能合并，同时还需要时序上的控制。
针对Zynq UltraScale+ MPSoC（ZU+ MPSoC）、Zynq UltraScale+ RFSoC（ZU+ RFSoC）、Zynq 7000（Z7）、UltraScale +（US+包括VU+和KU+）、UltraScale（US包括VU和KU）、7系列等，对每一类型电压及要求电压值、精度罗列如下表：
| 电压类型 | ZU+ MPSoC | ZU+ RFSoC | Z7 | US+ | US | 7 Series | |
| Logic | VCCINT | 0.85(3%) 0.72(3%) 0.9(3%) | 0.85(3%) 0.72(3%) | 1.0(3%) 0.95(3%) | 0.85(3%) 0.72(3%) 0.9(3%) | 0.95(3%) 0.9(2.2%)KU 1.0(3%) | 1.0(3%) 0.9(3%) 0.95(2%) AKV三个系列不同 |
| VCCINT_IO | 0.85(3%) 0.9(3%) | 0.85(3%) | × | 0.85(3%) 0.9(3%) | 0.95(3%) 0.9(2.2%)KU 1.0(3%) | × | |
| VCCBRAM | 0.85(3%) 0.9(3%) | 0.85(3%) | 1.0(3%) 0.95(3%) | 0.85(3%) 0.9(3%) | 0.95(3%) 1.0(3%) | 1.0(3%) 0.9(3%) 0.95(3%) AKV三个系列不同 | |
| VCCAUX | 1.8(3%) | 1.8(3%) | 1.8(5%) | 1.8(3%) | 1.8(5%) | ||
| VCCO | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
| VCCAUX_IO | 1.8(3%) | 1.8(3%) | 1.8(5%) 2.0(3%) | 1.8(3%) | 1.8(5%) 2.0(3%) A7没有 | ||
| VBATT | √ | √ | √ | √ | |||
| GTx | VCCINT_GT | × | × | × | 0.85(3%) 0.9(3%) 只有VU+才有 | × | × |
| VMGTAVCC | 0.9(3%) | 0.9(3%) | 1.0(0.97~1.08) 1.05(1.02~1.08) | 0.9(3%) | 1.0(3%) 1.03(3%)VU | 1.0(0.97~1.08) 1.05(1.02~1.08) | |
| VMGTAVTT | 1.2(3%) | 1.2(3%) | 1.2(2.5%) | 1.2(3%) | 1.2(2.5%) 1.23(2.4%)VU | 1.2(2.5%) | |
| VMGTVCCAUX | 1.8(3%) | 1.8(3%) | 1.8(2.7%) | 1.8(3%) | 1.8(2.7%) | 1.8(2.7%) | |
| VMGTAVTTRCAL | 1.2(3%) | 1.2(3%) | 1.2(2.5%) | 1.2(3%) | 1.2(2.5%) 1.23(2.4%)VU | 1.2(2.5%) | |
| System Monitor | VCCADC | 1.8(3%) | 1.8(3%) | 1.8(5%) | 1.8(3%) | 1.8(5%) | |
| VREFP | 1.25(4%) | 1.25(4%) | 1.25(4%) | 1.25(4%) | 1.25(4%) | ||
| Processor System | VCC_PSINTFP | 0.85(5%) 0.9(3%) | 0.85(5%) | VCC_PSINT(1.0(5%)) | |||
| VCC_PSINTLP | 0.85(5%) 0.9(3%) | 0.85(5%) | |||||
| VCC_PSAUX | 1.8(5%) | 1.8(5%) | 1.8(5%) | ||||
| VCC_PSINTFP_DDR | 0.85(5%) 0.9(3%) | 0.85(5%) | × | ||||
| VCC_PSADC | 1.8(5%) | 1.8(5%) | × | ||||
| VCC_PSPLL | 1.2(3%) | 1.2(3%) | 1.8(5%) | ||||
| VPS_MGTRAVCC | 0.85(3%) | 0.85(3%) | × | ||||
| VPS_MGTRAVTT | 1.8(3%) | 1.8(3%) | × | ||||
| VCCO_PSDDR | DDR I/O | DDR I/O | DDR I/O | ||||
| VCC_PSDDR_PLL | 1.8(5%) | 1.8(5%) | × | ||||
| VCCO_PSIO | MIO | MIO | MIO | ||||
| VCC_PSBATT | √ | √ | × | ||||
| HBM | VCC_HBM | 1.2(3%)VU+ | |||||
| VCC_IO_HBM | 1.2(3%)VU+ | ||||||
| VCCAUX_HBM | 2.5(3%)VU+ | ||||||
| VCU | VCCINT_VCU | 0.9(3%) | |||||
| RF | VADC_AVCC | 0.925(3%) | |||||
| VADC_AVCCAUX | 1.8(3%) | ||||||
| VDAC_AVCC | 0.925(3%) | ||||||
| VDAC_AVCCAUX | 1.8(3%) | ||||||
| VDAC_AVTT | 2.5(3%) 3.0(3%) | ||||||
| VCCINT_AMS | 0.85(3%) | ||||||
| VCCSDFEC | 0.85(3%) |
2、功耗
FPGA的功耗包括所用逻辑单元数/BRAM数等内部资源、工作时钟频率、切换速率、布线和I/O功耗等。对于I/O功耗，影响因素包括输出类型、工作时钟频率、以及输出的信号翻转数量以及输出负载等。实际功耗取决于特定的系统设计。本部分内容主要针对FPGA logic部分的功耗，而对于Zynq系列，由于其操作系统不同、应用不同，无法进行详细计算，但可以通过软件进行粗略评估。
整个FPGA设计的总功耗由三部分功耗组成：芯片静态功耗、设计静态功耗、设计动态功耗。
芯片静态功耗：FPGA在上电完成后还未配置时的功耗，主要是晶体管的泄露电流所消耗的功耗。
设计静态功耗：当FPGA配置完成后，当设计还未启动时，需要维持I/O的静态电流，时钟管理和其它部分电路的静态功耗。
设计动态功耗：FPGA内设计正常启动后，设计的功耗；这部分功耗的多少主要取决于芯片所用电平，以及FPGA内部逻辑和布线资源的占用情况等。
2.1、待机功耗（芯片静态功耗）
由于漏电流的存在，器件在待机时也会消耗能量。待机功耗随芯片DIE的大小、温度以及工艺的变化而变化。可以利用器件特征参数来模拟待机功耗，并定义为两类：典型功耗和最大功耗。
2.2、IO功耗（设计静态功耗）
I/O功耗是VCCO功耗，主要来自器件输出引脚连接的外部负载电容、阻抗模式输出驱动电路以及外部匹配网络(如果有)的充放电电流。
如前所述，FPGA内部要实际消耗一部分VCCO功耗，外部匹配电阻网络以及输出电容负载消耗了另一部分能量。设计人员在规划散热方案时，应考虑VCCO的内部功耗。作为VCCO电源输出功率的一部分，设计人员也应考虑外部功耗的组成。
2.3、动态功耗（设计动态功耗）
内部节点改变逻辑状态时(例如，从逻辑0变到逻辑1)会形成器件内部动态功耗，因为它需要能量对逻辑阵列和互联网络的内部电容进行充放电。内核动态功耗包括逻辑单元功耗和导线功耗。LE功耗来自内部节点电容充放电以及内部电阻单元的电流损耗。导线功耗来自每个LE驱动外部导线电容时的充放电电流。内核动态功耗主要来自以下结构单元：
LUT
RAM模块
DSP Slice
锁相环(PLL)
时钟树网络
GTx收发器
IP使用情况
IO使用情况
2.4、功耗设计
前两部分的功耗取决于FPGA芯片及硬件设计本身，很难有较大的改善。可以优化的是第3部分功耗：设计动态功耗，这部分功耗占总功耗的90%以上，因此降低设计动态功耗是降低整个系统功耗的关键因素。
Tjmax>θJA*PD+TA
其中Tjmax表示FPGA芯片的最高结温（maximum junction temperature）；θJA表示FPGA与周围大气环境的结区热阻抗（Junction to ambient thermalresistance），单位是℃/W；PD表示FPGA总功耗（power dissipation），单位是W；TA表示周围环境温度。
以XC7K325T-2FFG900I系列芯片为例，θJA=9.7℃/W，在TA=55℃的环境中，想要结温Tjmax不超过100°C的情况下，可以推算FPGA的总功耗为：
PD
因此实际功耗只要超过此值就需要进行优化处理，优化处理的方法主要有两种：一是降低θJA：热阻抗取决于芯片与环境的热传导效率，可通过加散热片或者风扇减小热阻抗；二是减小PD：通过优化FPGA设计，降低总功耗。下面就针对这两部分进行介绍。
2.4.1、降低θJA
此部分详见之前的文章《可靠性设计之降额设计》。
2.4.1、减小PD
2.4.1.1、功耗估计
Xilinx FPGA的功耗评估常见的有几种方案：Xilinx自己的XPE（可以在xilinx官网上下载到：http://www.xilinx.com/power，它是一个基于excel的工具）、TI的WEBENCH（貌似只有FPGA部分，没有ARM部分）、Vivado软件、开发板实测评估等，这几种方案都可以根据自己的外设进行定制，方便灵活。
在低功耗设计之前，需要先进行功耗评估。XPE主要是在项目初期，处于系统设计，RTL代码并未完善阶段功耗估计时使用。在设计完成综合实现后，则可以使用vivado自带的功耗分析工具进行精确计算功耗。打开综合实现后的设计，点击report power即可得到功耗分析的结果。
此部分可以参见之前的文章《Zynq UltraScale+系列之“电源”》。
2.4.1.2、功耗优化
关于FPGA低功耗设计，可从两方面着手：一是算法优化；二是FPGA资源使用效率优化。
算法优化
算法优化可分为两个层次说明：实现结构和实现方法。首先肯定需要设计一种最优化的算法实现结构，设计一种最优化的结构，使资源占用达到最少，当然功耗也能降到最低，但是还需要保证性能，使FPGA设计在面积和速度上都能兼顾。比如在选择采用流水线结构还是状态机结构时，流水线结构同一时间所有的状态都在持续工作，而状态机结构只有一个状态是使能的，显而易见流水线结构的功耗更多，但其数据吞吐率和系统性能更优，因此需要合理选其一，使系统能在面积和速度之间得到平衡。
另一个层面是具体的实现方法，设计中所有吸收功耗的信号当中，时钟是罪魁祸首。虽然时钟可能运行在100MHz，但从该时钟派生出的信号却通常运行在主时钟频率的较小分量（比如12%～15%）。此外，时钟的扇出一般也比较高。这两个因素显示，为了降低功耗，应当认真研究时钟。首先，如果设计的某个部分可以处于非活动状态，则可以考虑禁止时钟树翻转，而不是使用时钟使能。时钟使能将阻止寄存器不必要的翻转，但时钟树仍然会翻转，消耗功率。其次，隔离时钟以使用最少数量的信号区。不使用的时钟树信号区不会翻转，从而减轻该时钟网络的负载。
资源使用效率优化
资源使用效率优化是使用FPGA内部的一些资源（如BRAM，DSP slice）时，可以优化功耗的方法。FPGA动态功耗主要体现为存储器、内部逻辑、时钟、I/O等的功耗。
其中存储器是功耗大户，如xilinx FPGA中的存储器单元Block RAM，因此主要介绍对BRAM的一些功耗优化方法。
下图中虽然BRAM只使用了7%，但是其功耗0.614W占了总设计的42%，因此优化BRAM的功耗能有效地减小FPGA的动态功耗。
下面介绍一下优化BRAM功耗的方法：
使用“NO CHANGE”模式：在BRAM配置成True Dual Port时，需要选择端口的操作模式：“Write First”，“Read First” or “NO CHANGE”，避免读操作和写操作产生冲突，如图6所示；其中“NO CHANGE”表示BRAM不添加额外的逻辑防止读写冲突，因此能减少功耗，但是设计者需要保证程序运行时不会发生读写冲突。
设置成“NO CHANGE”后BRAM的功耗从0.614W降到了0.599W，因为只使用了7%的BRAM，如果设计中使用了大量的BRAM，效果能更加明显。
控制“EN”信号：BRAM的端口中有clock enable信号，在端口设置中可以将其使能，模块例化时将其与读/写信号连接在一起，如此优化可以使BRAM在没有读/写操作时停止工作，节省不必要的功耗。
控制“EN”信号优化后BRAM功耗降到了0.589W。
拼深度：当设计中使用了大量的存储器时，需要多块BRAM拼接而成，如需要深度32K，宽度32-bit，32K*32Bit的存储量，但是单块BRAM如何配置是个问题。7 series FPGA中是36Kb 的BRAM，其中一般使用32Kb容量，因此可以配置成32K*1-bit或者1K*32-bit，多块BRAM拼接时，下图中前者是“拼宽度”，后者是“拼深度”。两种结构在工作时，“拼宽度”结构所有的BRAM需要同时进行读写操作；而“拼深度”结构只需要其中一块BRAM进行读写，因此在需要低功耗的情况下采用“拼深度”结构。但需要特别注意的是：“拼深度”结构需要额外的数据选择逻辑，增加了逻辑层数，为了降低功耗即牺牲了面积又牺牲了性能。
3、上下电时序
3.1、上电时序
FPGA通常需要多路供电电压，并且要求一定的上电/断电顺序。顺序上电有助于限制上电期间的浪涌电流。如果忽视器件的供电顺序要求，可能导致器件损坏或闩锁，造成FPGA器件故障。有三种类型的上电时序：同步跟踪、顺序跟踪和比率跟踪。
针对各个系列的FPGA芯片，其内部各功能模块的上电时序一般是相互独立的，各个功能模块内部是有先后顺序的要求。详细可参看各个器件的data sheet，其中会有详细的先后顺序约束。
3.2、上升单调性
启动过程中，电源电压保持单调爬升非常重要，只有这样才能确保器件成功开启。一般的FPGA给出了严格的电压单调上升要求，即电源电压应该连续上升至所设置的稳压值，中间不应发生跌落。如果电源不能提供足够的输出功率，则会造成跌落。
3.3、上电时间
大多数FPGA规定了启动电压上升速率的最小值和最大值，电源通过在启动过程中逐渐增大限流值实现软启动。软启动减缓了电源电压的上升速率，也降低了注入FPGA的峰值浪涌电流。一般的电源可利用连接在引脚的软启动电容设置软启动时间。
3.4、掉电时序
断电时序也是需要控制的，标准的时序是把上电时序倒过来。
3.5、特殊情况的时序控制
经常会有FPGA和ARM等其他CPU互连的情况，为了不损坏器件，此时FPGA和ARM的上电时序既要满足自身的上电时序要求，也要满足对方的上电时序要求，这种情况可以进行如下处理：
当FPGA和ARM各自使用自己的配置文件时：由于ARM处于复位状态时IO为输入状态，而FPGA需要完成配置后才能确定其IO的状态，因此ARM和FPGA可以各自进行各自的上电时序，当ARM的上电时序完成后处于复位状态，这样IO为输入状态，当FPGA上电完成后进行配置，配置完成后给ARM一个配置完成信号，此信号去释放ARM的复位，设置对应的IO状态，就不会出现IO冲突了，也不会影响FPGA启动时序，也不会导致FPGA接口出现闩锁效应。
当FPGA是使用ARM给配置文件时，不会出现IO冲突的情况，因为FPGA释放复位，进行配置之前，IO是高阻态，FPGA没有配置文件，不会去设置IO状态。
4、电源方案
目前针对FPGA的常用电源解决方法包括使用单路LDO、单路DC/DC、单颗Power Module、PMIC等。
4.1、LDO
如果电路板空间有保证，低输出噪声很重要，或者系统要求对输入和瞬态现象快速响应，就应该采用LDO。LDO提供了中低输出电流。输入电容通常会切断输入至LDO的阻抗和噪声。LDO还要求在输出端有一个电容器，以处理系统瞬态响应并提供稳定性。
4.2、SMPS
当设计效率非常关键且系统要求大输出电流时，开关电源具有优势。开关电源提供比LDO更高的效率，但其开关特性使其对噪声更敏感。与LDO不同，开关电源需要使用电感器，而且可能需要变压器进行DC-DC转换，对PCB空间需求较大。
4.3、Power Module
Power Module可以省去自己搭建外围电路，且厂家设计的模块一般比自己设计的性能会更好（效率更高、纹波更小），但电源模块一般是在电流需求比较大的情况下会选择。
4.4、PMIC
由于FPGA的广泛应用，目前针对FPGA的专用PMIC越来越多，从输出电压、通道数、输出电流等方面都能很好的满足特定FPGA芯片的需求，同时PCB占用面积、设计便捷性、价格等方面都比较有优势。ZU+ MPSoC系列可参见之前的文章《Zynq UltraScale+系列之“电源”》，其他系列类似，详细可以参见TI、Infineon、ADI（含凌特）等厂家官网，有相关FPGA系列芯片对应的解决方案。
以上就是针对Xilinx FPGA的电源介绍，主要包括了电源的种类、电压要求、功耗分析、上下电时序、电源实现方式等。
Zynq UltraScale+ MPSoC PS端有两个电源域，分别是全功耗电源域和低功耗电源域。二者的PL和PS间都是独立的。
关于上电顺序，Zynq-7000的要求是：
a) PS : 先同时上VCCPINT、VCCPAUX和VCCPLL，再上VCCO（MIO、DDR），但VCCO上电延时相对于VCCPAUX有一个必须遵守的最大延迟时间。
b) PL : 先后依次是VCCINT、 VCCBRAM、 VCCAUX和 VCCO，VCCO上电延时相对于VCCAUX有一个必须遵守的最大延迟时间。
但是Zynq UltraScale+ MPSoC有不同的要求：
a) 在PS系统里，必须保证低功耗电源域先上电，待上电完成后再给全功耗系统上电。
b) 在低功耗电源域内的上电顺序是：VCCPINTLP先上电，然后VCCPAUX、VCCPADC、 和VCCPLL没有特别要求，最后给VCCOPIO上电。
c) 在全功耗电源域内先给VCCPINTFP（VCCPINTFP_DDR）上电，然后VMGTRAVCC、 VCCPLL和 VCCDDRPLL以任何顺序上电，最后是给MGTRAVTT和VCCODDR上电。
d) PL 上电完全独立，依次是VCCINT、VCCINT_IO/VCCBRAM、 VCCAUX/VCCAUX_IO和 VCCO。
引用UG1085中的一张图可以看出ZU+的电源还是相当复杂的，不过细细琢磨也就分为两部分：PL和PS，PL部分再细分为logic部分和GTx部分；PS部分再细分为LPD、FPD（含GTR）和公共部分（PLL、ADC、AUX）。下面是用思维导图整理的相关电源域，其中以-2E等级为参考，电流部分由于所选型号、所用资源不一，暂未统一评估，后续会进行详细评估。
电源相关引脚描述可参考UG1085和DS925。
2、上电时序
上面简单的概述了一下ZU+的电源域，下面就上电时序进行叙述。
PS部分和PL部分的上电时序是独立的，为了防止损坏器件，器件内部已经进行了隔离。
PS部分的LPD（Contains the ARM Cortex-R5 real-time processor unit (RPU), theplatform management unit (PMU), and the configuration security unit (CSU), aswell as the remaining on-chip peripherals.）要先于FPD（Contains the ARM Cortex-A53application processor unit (APU) as well as a number of peripherals typicallyused by the APU.）上电，或者同时上电。
LPD部分的上电顺序为：
- VCC_PSINTLP
- CVCC_PSAUX, VCC_PSADC, andVCC_PSPLL in any order or simultaneously.
- CVCCO_PSIO
FPD部分的上电顺序为：
- VCC_PSINTFP andVCC_PSINTFP_DDR driven from the same supply source.
- VPS_MGTRAVCC andVCC_PSDDR_PLL in any order or simultaneously.
- VPS_MGTRAVTT andVCCO_PSDDR in any order or simultaneously.
PL的逻辑部分的推荐上电时序为VCCINT,VCCINT_IO/VCCBRAM, VCCINT_VCU, VCCAUX/VCCAUX_IO, and VCCO. VCCINT_IO和VCCBRAM必须连接到一起，VCCAUX/VCCAUX_IO必须连接到一起。如果VCCINT和VCCINT_IO/VCCBRAM电压相同，可以使用同一电源并且同时上电；如果VCCAUX/VCCAUX_IO和VCCO电压相同，可以使用同一电源并且同时上电。
PL的GTx部分的推荐上电时序为VCCINT, VMGTAVCC, VMGTAVTT OR VMGTAVCC, VCCINT,VMGTAVTT. VMGTVCCAUX没有时序要求。
VMGTAVCC和VCCINT没有时序要求，可以同时上电。如果不满足时序要求，则VMGTAVTT上下电的电流可能比规范规定的高。
所有的下电时序都和上电时序相反。一般都不进行下电时序控制，如果有需要低成本的下电时序控制电路，可以参考NVIDIA的Jetson TX2的底板，本人之前就使用过这套方案进行过K7的下电时序控制，还是非常好用的，这套方案成本较低，同时考虑了外部掉电和主动关机的情况，值得参考。
上下电时序相关资料可参考DS925。
3、电流评估
Xilinx FPGA的电流评估常见的有几种方案：Xilinx自己的XPE（使用该种方式你一定会惊叹excel的强大之处！）、TI的WEBENCH（貌似只有FPGA部分，没有ARM部分）、Vivado软件、开发板等，这几种方案都可以根据自己的外设进行定制，方便灵活。
以下为XPE评估的一个样例：
PS部分的电流评估：
| Domain | Source | Voltage | Total (A) | Total |
| Battery Power | VCC_PSBATT | 1.200 | <0.001 | <0.001W |
| Low Power (Logic + IO) | VCC_PSINTLP | 0.850 | 0.380 | 0.323W |
| VCCO_PSIO0_500 | 3.300 | 0.008 | 0.026W | |
| VCCO_PSIO1_501 | 3.300 | 0.005 | 0.017W | |
| VCCO_PSIO2_502 | 3.300 | 0.002 | 0.007W | |
| VCCO_PSIO3_503 | 3.300 | 0.001 | 0.002W | |
| LPD Power | 0.375W | |||
| Full Power (Logic + IO) | VCC_PSINTFP | 0.850 | 0.867 | 0.737W |
| VCCO_PSDDR_504 | 1.200 | 1.107 | 1.329W | |
| VPS_MGTRAVCC | 0.850 | 0.284 | 0.241W | |
| VPS_MGTRAVTT | 1.800 | 0.042 | 0.076W | |
| VCC_PSINTFP_DDR | 0.850 | 1.228 | 1.044W | |
| FPD Power | 3.427W | |||
| Others | VCC_PSPLL | 1.200 | 0.078 | 0.094W |
| VCC_PSDDR_PLL | 1.800 | 0.013 | 0.023W | |
| VCC_PSADC | 1.800 | 0.011 | 0.019W | |
| VCC_PSAUX | 1.800 | 0.002 | 0.004W | |
| Others Power | 0.140W |
PL部分的电流评估：
| Power Supply | ||
| Source | Voltage | Total (A) |
| VCCINT | 0.850 | 3.819 |
| VCCINT_IO | 0.850 | 0.234 |
| VCCBRAM | 0.850 | 0.057 |
| VCCAUX | 1.800 | 0.178 |
| VCCAUX_IO | 1.800 | 0.176 |
| VCCO 3.3V | 3.300 | 0.000 |
| VCCO 2.5V | 2.500 | 0.000 |
| VCCO 1.8V | 1.800 | 0.033 |
| VCCO 1.5V | 1.500 | 0.000 |
| VCCO 1.35V | 1.350 | 0.000 |
| VCCO 1.2V | 1.200 | 0.326 |
| Vcco 1.0V | 1.000 | 0.000 |
| VCCADC | 1.800 | 0.008 |
注：我使用的是XCZU3，没有引出GTx部分。
同样可以使用TI的WEBENCH进行评估，也可以使用vivado进行预评估。
4、电源相关设计（主要是去耦电容）
PL部分电源的去耦电容根据型号不同、封装不同，具体的数量不同，具体参见UG583，也可以根据XTP427的checklist进行对照检查。
PL部分电源域主要包括：VCCINT/VCCINT_IO，VCCBRAM/VCCINT_IO，VCCAUX/VCCAUX_IO，HDIO，HPIO几组。
PS部分电源域较多，具体参见UG583，也可以根据XTP427的checklist进行对照检查。针对VCC_PSDDR_PLL和VCCINT_VCU(MPSoCEV Devices Only)还需要特殊处理。
