Impedance n.阻抗
dielectric n.电解质
propagation n.传播

标题：Gate Impedance Analysis of SiC power MOSFETs with SiO2 and High-κ Dielectric

阅读日期：2023.7.13

研究了什么

这篇论文研究了SiC功率MOSFET的门电阻Z_gg特性，包括SiO₂和高κ栅介质，以调查它们的介电-半导体界面质量，并区分通道和JFET贡献。该论文确定了不同SiC MOSFET中Z_gg的电压和温度依赖性，并展示了最新设计在接近半导体界面陷阱方面的改进。该论文进行了实验表征和TCAD器件模拟以支持结论。

文章创新点

·该论文首次证明了通过测量Z_gg（V_gs，f，T）可以区分通道和JFET区域中D_it的影响。
·该论文展示了如何利用SiC功率MOSFET的门电阻Z_gg特性来调查它们的介电-半导体界面质量，并区分通道和JFET的贡献。
·该论文确定了不同SiC MOSFET中Z_gg的电压和温度依赖性。
·该论文展示了最新设计在接近半导体界面陷阱方面的改进。
·该论文利用实验表征和TCAD器件模拟来支持结论。

文章的研究方法

电导方法：在与通道峰相关的V_gs点上对参考器件应用电导方法，以获得短路漏源端的MOSFET等效模型。
门电阻Z_gg特性分析：使用门电阻Z_gg特性来调查具有SiO₂和高κ栅介质的SiC功率MOSFET的介电-半导体界面质量，并区分通道和JFET的贡献。
实验表征：进行实验表征以支持研究结论。
TCAD器件模拟：使用TCAD器件模拟来支持研究结论。

文章得出的结论

所提出的R_gg（V_gs）特性化方法允许对SiC功率MOSFET进行D_it评估，并可与制造过程中的不同步骤相关联。
可以通过测量Z_gg（V_gs，f，T）来区分通道和JFET区域中D_it的影响。
确定了不同SiC MOSFET中Z_gg的电压和温度依赖性。
最新设计在接近半导体界面陷阱方面显示出改进。
进行实验表征和TCAD器件模拟以支持结论。