作业
用迁移电流来推导出公式
电流是I,J是电流密度,W就是横截面
T是这个薄膜的厚度(我们最后可以消除掉)
X就是空间位置,0就是在电极的一端
为什么要减去
因为只有大于阈值电压,才会有水流通过,只有在阈值电压过了以后,才会产生电流
MESFET 没有oxide gate直接和半导体接触
与金属半导体接触会有一个耗尽层区域
没有oxide,我们用能级图就不用原先的能级图,就用金属半导体接触的能级图
Gate不用加任何电压,下面就有一个沟道
第一个对应 TFT
第二个对应MESFET
第三个对应 MOSFET