系列文章目录

1.连续打卡第一天：提前对CPK_RA2E1是瑞萨RA系列开发板的初体验，了解一下

2.开发环境的选择和调试（从零开始，加油）

3.欲速则不达，今天是对RA2E1 基础知识的补充学习。

4.e2 studio 使用教程

5.Keil配置使用（使用 RASC 生成 Keil 工程）

6.Keil配置使用（使用 RASC 生成 Keil 工程）

7.（电脑重装系统）学习RA产品家族选型手册

8.问题解决、学习RA寄存器、用寄存器的方式点亮第一个LED灯。

9.继续学习RA寄存器

10.FSP固件库开发及FSP配置详解。

11.FSP固件库开发点亮第一个灯。

12.FSP固件库开发按键输入检测控制LED灯闪烁

13.FSP固件库开发启动文件详解

14.FSP固件库开发延时函数（时钟详解）

15.FSP固件库外部中断处理编程（外部中断检测按键控制LED闪烁)

16.FSP固件库系统定时器（滴答定时器SysTick）每2秒LED闪烁一次

17.FSP固件库开发GPT — PWM通用定时器定时2s LED 闪烁

18.FSP固件库开发GPT — PWM输出波形 — LED呼吸灯

19.RA2E1串口通信基础知识

20.RA2E1_UART —— 串口通信例程

21.RA2E1_UART —— 串口控制LED亮灭

22.RA2E1的RTC时钟日历

文章目录

系列文章目录

一、存储器介绍？

二、易失性存储器

1.RAM

2.DRAM

3.SDRAM

4.DDR SDRAM

5.SRAM

三、非易失性存储器

1.ROM存储器

2. MASK ROM

3. OTPROM

4. EPROM

5.EEPROM

6.FLASH存储器

总结

风华

前言

准备开始做存储类的东西啦，所以先学习一下RA2E1的存储器知识。

一、存储器介绍？

存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。

存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易失/非易失”是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。由于一般易失性存储器存取速度快，而非易失性存储器可长期保存数据，它们都在计算机中占据着重要角色。在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。

二、易失性存储器

1.RAM

RAM是“Random Access Memory”的缩写，被译为随机存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为早期计算机曾使用磁鼓作为存储器，磁鼓是顺序读写设备，而RAM可随机读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的，因此得名。实际上现在RAM已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。

2.DRAM

动态随机存储器DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表1，无电荷代表0，0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作，这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。刷新操作会对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保证数据的正确性。

3.SDRAM

根据DRAM的通讯方式，又分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以同步DRAM使用更为广泛，这种DRAM被称为SDRAM(Synchronous DRAM)。

4.DDR SDRAM

为了进一步提高SDRAM的通讯速度，人们设计了DDR SDRAM存储器(Double Data Rate SDRAM)。它的存储特性与SDRAM没有区别，但SDRAM只在上升沿表示有效数据，在1个时钟周期内，只能表示1个有数据；而DDR SDRAM在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据，也就是说在1个时钟周期内可以表示2位数据，在时钟频率同样的情况下，提高了一倍的速度。至于DDRII和DDRIII，它们的通讯方式并没有区别，主要是通讯同步时钟的频率提高了。

当前个人计算机常用的内存条是DDRIII SDRAM存储器，在一个内存条上包含多个DDRIII SDRAM芯片。

5.SRAM

静态随机存储器SRAM的存储单元以锁存器来存储数据，见图21_4。这种电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态(当然，如果断电了，数据还是会丢失的)，所以这种存储器被称为“静态(Static)”RAM。

三、非易失性存储器

非易失性存储器种类非常多，半导体类的有ROM和FLASH，而其它的则包括光盘、软盘及机械硬盘。

1.ROM存储器

ROM是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器。由于技术的发展，后来设计出了可以方便写入数据的ROM，而这个“Read Only Memory”的名称被沿用下来了，现在一般用于指代非易失性半导体存储器，包括后面介绍的FLASH存储器，有些人也把它归到ROM类里边。

2. MASK ROM

MASK(掩膜) ROM就是正宗的“Read Only Memory”，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不需要修改的场合，还有应用。

3. OTPROM

OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改。在NXP公司生产的控制器芯片中常使用OTPROM来存储密钥。

4. EPROM

EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器，它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰，被EEPROM取代。

5.EEPROM

EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的ROM芯片都是EEPROM。

6.FLASH存储器

FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把FLASH存储器称为FLASH ROM，但它的容量一般比EEPROM大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。如有的FLASH存储器以4096个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同，FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH。