MLCC电容反谐振点引起的RE辐射超标
对待RE辐射问题，可以按照干扰源，干扰路径，被干扰源，入手较多的是干扰源和干扰路径，
解决干扰源可以从展频，调频，屏蔽干扰源，增加RC snabber吸收干扰源等方向入手；
解决干扰路径的，可以分为差模干扰和共模干扰，共模干扰又分为①电流驱动型；②电压驱动型；③磁耦合型，个人总结对待共模路径问题，可以从增加共模电感，降低回流阻抗，避免将屏蔽罩/散热片不接地使用，干扰信号路径走在板子边缘，降低耦合电容等方面考虑；对待差模干扰，通过合理的使用LC/RC电路是最为常见的方向之一。
可以看到，在EMC设计过程中，电容器是应用最为广泛的元器件。对于电容，我们不得不提的是电容的寄生电感的问题，因为寄生电感的存在，进而出现了电容自谐振频率的现象，当使用频率超出了谐振频率时，我们是尽量不选择该频段的电容，厂家为了解决该问题，又改造了工艺，出现了三端电容，三端电容本文不做过多介绍，有兴趣的可以参考网上资料，本文重点讨论因为电容寄生电感的存在导致RE辐射超标的问题。
实验现象：在测试45MHz-200MHz时，发现160MHz-180MHz频段超标。
实验分析：对照常规的电容谐振频率特性曲线，为了解决160MHz-180MH的频段，可以选用1nf的电容，但是因为在实验室debug时只找到合适的1.5nf的电容，于是将该1.5nf的电容并联在输出电源测（输出电源本身外接了10nf电容)，重新测试结果如下：
在160MHz-180MHz频段幅值有所缓解，但是在140MHz-160MHz辐射反而比以前的要高，经过研究发现，很可能是由于10nf电容和1.5nf电容并联谐振引起的，为了验证该猜想，我们在村田的官网进行仿真，得到结果如下：
因为我们选用的不是村田的，结果可能有一些偏差，但是从该曲线可以看出，10nf的电容跟1.5nf电容在100MHz-200MHz之间的确存在一段反谐振点，于是我们尝试并联多颗10nf的电容跟1.5nf的电容，通过降低谐振点的阻抗降低该频段辐射，仿真结果如下：
可以从仿真曲线看出，多并联相同容值的电容，既可以降低反谐振引起的幅值，也能降低谐振点阻抗。
再增加多颗相同容值的电容后，重新测试该频段，结果如下：
测试可以通过。
总结：相同容值的电容并联可以起到既能降低自谐振点的阻抗，也能降低因为不同容值引起反谐振点的阻抗，可谓一举两得。
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参考原文：《MLCC电容反谐振点引起的RE辐射超标》
