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ASEMI低压MOS管20N06参数：
型号：20N06
漏极-源极电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：20A
功耗（PD）：45W
储存温度（Tstg）：-55 to 175℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ
二极管正向电压（VSD）：1.2V
输入电容（Ciss）：590pF
二极管反向恢复时间（trr）：29.5nS
20N06封装体积：
封装：TO-252-2L
总长度：10.35mm
本体长度：6.25mm
宽度：6.75mm
高度：2.4mm
脚间距：2.34mm
20N06特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=50nC（典型值）。
BVDSS=60V，ID=20A
RDS（开）:0.02Ω （最大值）@VG=10V
100%雪崩测试
