裸硅芯片无压烧结银,助力客户降本增效
作为全球烧结银的领航者,善仁新材重“芯“出发,再次开发出引领烧结银行业的革命----推出裸硅芯片的无压烧结银AS9332,此款烧结银得到客户的广泛认可。
在半导体技术的飞速发展中,裸硅芯片(Bare Silicon Chip)与无压烧结银(Pressureless Silver Sintering)AS9332的结合,正成为新一代高功率、高密度电子器件封装领域的一项关键技术突破。本文将深入探讨裸硅芯片无压烧结银AS9332的技术原理、优势、应用前景以及面临的挑战,以期为行业同仁提供有价值的参
AS9332无压烧结银
一 无压烧结银技术原理
无压烧结银AS9332,作为一种创新的芯片互连材料,其核心在于利用纳米银颗粒的独特表面能和低温烧结特性,实现芯片与基板之间的高效连接。传统芯片封装多采用锡基焊料,但其较低的熔点和导热性能限制了其在高温、高功率环境下的应用。而AS9332通过纳米银颗粒的固相烧结,在远低于银熔点的温度下实现颗粒间的紧密结合,形成高强度、高导热性的连接层。这一过程中,无需外部压力,仅通过控制烧结温度和时间即可完成,大大降低了生产成本和复杂度。
二 无压烧结银优势分析
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低温无压烧结:AS9332能够在远低于传统银烧结温度的条件下实现烧结,如善仁新材开发的AS9378TB系列,甚至可以在150℃下完成烧结,这不仅保护了热敏感部件,还提高了生产效率。
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优异的导热导电性:纳米银烧结层的导热系数远高于传统焊料,可达到100-160W/M.K,确保了高功率芯片在工作时产生的热量能够迅速散出,提高了器件的稳定性和可靠性。
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高剪切强度:AS9332烧结后形成的连接层具有极高的剪切强度,剪切强度高达40MPa(2*4mm2芯片)能够承受较大的机械应力和热应力,适用于高振动、高冲击的工作环境。
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环保无污染:无铅设计,符合现代电子工业的环保要求,避免了铅等有害物质对环境和人体的危害。
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简化工艺流程:无需复杂的加压设备和特殊工艺,可在普通烘箱中完成烧结,降低了生产成本和门槛。
三 无压烧结银应用前景
随着第三代半导体材料如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的兴起,高功率、高温、高频的应用场景日益增多。裸硅芯片无压烧结银AS9332因其卓越的性能,在以下领域展现出广阔的应用前景:
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新能源汽车:SiC和GaN芯片在电动汽车的电机控制器、电池管理系统和充电设施中广泛应用,AS9378的高导热性和可靠性能够显著提升这些系统的性能和寿命。
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智能电网:智能电网中的高压直流输电(HVDC)、柔性交流输电系统(FACTS)等设备对电力电子器件的可靠性要求极高,AS9332的烧结技术为这些设备的封装提供了理想的解决方案。
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航空航天:在极端温度、振动和辐射环境下,AS9332的耐高温、高可靠性特性使其成为航空航天电子器件封装的优选材料。
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消费电子:随着5G、物联网等技术的发展,消费电子产品的功率密度和集成度不断提高,AS9332的应用将有助于提高产品的性能和用户体验。
综上所述,裸硅芯片无压烧结银AS9332作为一项前沿技术,正逐步改变着半导体封装领域的格局。随着技术的不断成熟和成本的逐步降低,相信其将在更多领域展现出强大的生命力和广阔的应用前景。