摘自芯片手册(外加自己的思考)
发现网上使用这种芯片的人较少或者说解释这种芯片的电路具体怎么画的人较少,本来想直接借鉴的,发现没有找到,于是我自己来写一篇。
一、概述
该芯片提供标准通信接口(两个i2c,两个spi /一个I2S,一个HDMI CEC,最多8个,USARTs),一个CAN,一个12位ADC,一个带两个通道的12位DAC, 7个16位定时器,一个32位定时器和一个高级控制PWM定时器。
STM32F091xB/xC微控制器包括7个不同封装的器件,从48引脚到100引脚不等,也可根据要求提供模具形式。根据所选择的设备,包括不同的外围设备集。(大家可以根据自己的需要来选择封装,由于我的设计目前不需要很多引脚,所以本文将以48引脚为例)
USART引脚:PA14/PA15或PA9/PA10
I2C引脚:PB6 / PB7
二、性能参数
1.电源管理
(1)VDD = VDDIO1 = 2.0 ~ 3.6 V:外部I/o电源(VDDIO1)和内部稳压器。它通过VDD引脚从外部提供。
(2)VDDA =VDD~3.6 V: ADC、DAC、复位块、RCs和PLL(当使用ADC或DAC时,应用到VDDA的最低电压为2.4 V)。它通过VDDA引脚外部提供。VDDA电压水平必须始终大于或等于VDD电压水平,并且必须首先建立。
(3)VDDIO2 = 1.65 ~ 3.6 V:外置电源,用于标记I/o。VDDIO2通过VDDIO2引脚对外提供。VDDIO2电压水平完全独立于VDD或VDDA,但必须在没有VDD上有效电源的情况下提供的监测VDDIO2电源,并与内部参考电压进行比较(VREFINT)。当VDDIO2低于该阈值时,该轨道提供的所有I/o将被硬件禁用。这个比较器的输出连接到EXTI第31行,它可以用来生成中断。(可有可无?)
(4)VBAT = 1.65~3.6 V:当VDD不存在时,为RTC、外部时钟32 kHz振荡器和备份寄存器(通过电源开关)供电。
每个电源对(VDD/VSS, VDDA/ vsa等)必须采用如上所示的滤波陶瓷电容器进行去耦。这些电容器必须尽可能靠近或低于PCB底部适当的引脚,以确保设备的良好功能
以下是我画出的参考电路,若有错误,可以在评论区交流
2.模数转换器(ADC)
12位模数转换器具有多达16个外部和3个内部(温度传感器,电压基准,VBAT电压测量)通道,并在单镜头或扫描模式下执行转换。
温度传感器内部连接到ADC_IN16输入通道,用于将传感器输出电压转换为数字值。该传感器提供良好的线性度,但必须进行校准以获得良好的整体温度测量精度。
应用程序使用内部ADC通道ADC_IN18测量VBAT电池电压。
三、引脚描述
四、典型的外围电路应用
1.典型的8 MHz晶体应用
对于CL1和CL2,建议使用高质量的外置陶瓷电容器5pF至20pF范围(典型),专为高频应用而设计,并选择与晶体或谐振器的要求相匹配(见上图)。CL1和CL2通常大小相同。晶体制造商通常指定的负载电容是CL1和CL2的串联组合。在确定尺寸时,PCB和MCU引脚电容必须包括在内(可以使用10 pF作为引脚和板电容组合的粗略估计)CL1和CL2。
以下是我确定的尺寸,如有疑问和错误可在评论区讨论
2. 典型应用32.768 kHz晶体应用
以下是我确定的尺寸,如有疑问和错误,欢迎评论区讨论
3.复位电路的典型应用
以下是我画出的原理图,如有问题,欢迎评论区讨论
4.供电电路
由于电源进来需要滤波,于是加了一个供电电路
如有问题,可以在评论区进行讨论。