知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：光刻工序完成后，晶圆表面有部分图形容易出现显影不净是什么原因？有什么好的解决办法吗？
光刻工序流程
前处理--》匀胶--》软烘---》曝光---》PEB（可省略）---》显影---》后烘
显影的原理
正胶：曝光后下，正胶中的光敏剂吸收光能后产生化学反应，放出N2，产生羧酸基团，这些羧酸基碱性显影剂发生反应，使正胶聚合物链断裂，形成较小的分子片段。故曝光区域会被显影液溶解。
负胶：曝光时，光引发剂产生自由基，这些自由基引发周围单体发生的交联反应，形成了一个热稳定的网络结构。在显影剂作用下，未曝光的部分因为缺乏足够的交联而容易溶解，而交联的曝光区域则不被溶解。最终，显影剂清洗掉未曝光的部分。
为什么会显影不干净？
如果光阻涂层不均匀，会导致曝光和显影效果不一致，某些区域的光阻层过厚或过薄，导致不净。
1，曝光能量不足或过量
2，显影液的浓度或显影时间不足，喷头的压力不足
3，显影过程中显影剂的流动不均，或温度、振动控制不当。
4，要显影的结构深宽比较大，显影液不易到达
5，软烘温度，时间等不当
等等
如何解决？
找到根因，对症纠正。
