全部学习汇总： GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275! (github.com)

1. EOV其实是体现了一个错误递增的概念，而且这个是积累到了一定的度。至于具体的规则，其实后面还有更加详细的信息。
2. 关于ECC错误纠正使能，相应的处理可能跟ECC安全寄存器的设置有一定的重复。

这一页的一系列的寄存器与安全寄存器中的内容其实是有相关度的。

1. AERR，这个是一个地址错误而不是错误的地址。因此，这几个bits其实是可以表征所有的状态的。
2. 最后的这个错误检测标志，感觉上会被其他的错误触发出来？

1. 错误追踪寄存器一共有5个，主要是用来存储错误出现的地址的。
2. 对于各种错误的处理，不会进行种类的区分全都进行统一处理。在识别处理的时候，自己关注最新的问题。
3. 如果5个错误追踪寄存器全都用完了，那么EOV置位。
4. 这里又见到了文档的错别字，应该是多打了一个字符。
5. 这里又给出来了一种EOV置位的可能性，那就是同样的错误同时出现了多个。
6. 地址信息的表达跟之前看到的类似，应该还是有映射关系来处理。

1. 读数据以及bit翻转相关的寄存器一般会包含SRAM最后读取的信息。这样我多少有一点疑问，多核一起读的时候如何处理？这样的寄存器是每一个CPU一套吗？
2. 安全方面提供的支持：ECC以及安全SRAM。
3. 安全SRAM实现的安全特性主要在于寻址错误的检查。

1. 安全模式的操作有ENDINIT的保护。
2. ECC可靠性的检查有两种方式：第一种是自检会进行自动的故障注入；第二种是通过固件来写入包含了ECC bit的信息。
3. 签名机制主要是用来检查地质类的错误的。
4. 再次说明了，安全SRAM主要是实现读写以及寻址的检查。

安全RAM、MNIST以及ECC在MCU设计的时候是看做一个个独立模块的，因此不见得会在所有的MCU中一次全都看到。可能看到的是选择性的组合。

1. 如何启动MTU的测试功能呢？关键的地方在于对其配置寄存器的配置。这里有一个大概的流程，其实可以分为几大部分：进入测试模式、配置并执行检查、看检查的结果。
2. 如果想要获取完整的检查信息，可以采用dump来实现。
3. 范围寄存器主要是实现对整片存储进行检查。

1. 从芯片设计的角度，提供了3种方法可以实现存储的快速填充。
2. 大概的操作流程：进入测试模式、配置执行填充、最后退出测试模式。
3. 读取一个存储地址信息，读取的时候不仅可以读到存储本身的数据还包括ECC的bit和奇偶校验位。而操作的过程流程其实是与最上面的位填充时候类似的。

这个操作理解起来更加简单，其实写就是读的一个反向操作。