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参考资料：《镁光SDRAM数据手册》、《PC SDRAM specification》 

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写操作        

WRITE Burst

Random WRITE

 WRITE Terminated By WRITE

WRITE Terminated By READ

Write Terminated By Precharge

​编辑Write Terminated By BURST TERMINATE

​编辑Alternating Bank Write Accesses

​编辑WRITE Continuous Page Burst

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写操作        

        写和读总体类似，最大的区别是写没有CAS latency，写命令和输入数据是在同一个时钟沿生效。

WRITE Burst

        下图的BL=2。在完成固定长度突发时，假设没有其他命令，DQ将保持在高阻状态，并且任何额外的输入数据都将被忽略。

Random WRITE

        发一个列地址写一次数据：

 WRITE Terminated By WRITE

        任何WRITE突发的数据都可以被后续的WRITE命令截断。新的WRITE命令和数据可以在前一个WRITE指令之后的任何时钟上发出。

WRITE Terminated By READ

        任何WRITE突发的数据都可以用后续的READ命令截断。注册READ命令后，将忽略数据输入，并且不会执行WRITE。

Write Terminated By Precharge

        写操作同样可以被预充电命令截断，这里需要注意预充电命令的时机，一定要等所需要的最后一笔数据存储完毕才能进行预充电，这个从数据采样到完全存储是需要时间的，这个时间称为tWR，Write recovery time，这个时间单位为ns，当时钟频率越大时，一个tWR可能包含多个时钟周期，在这些时钟周期里，需要拉高DQM来屏蔽IO上的数据输入。

Write Terminated By BURST TERMINATE

        写突发也可以用BURST TERMINATE截断，如下图：

Alternating Bank Write Accesses

        如下是带自动预充电的、BL=4的、Bank0和Bank1交错写操作的示意图。图中的时序参数之前都讲过了，这里就不重复了。

WRITE Continuous Page Burst

        连续页突发写，可以被burst terminate命令截断。

        OK，SDRAM就先介绍到这里，相信看完这几篇对SDRAM能有一个比较清晰的认识，有了这个基础，后面再学习一代代的DDR会更容易。