Flash的学习
1 概述
2 特性
STM32 的内部FLASH 包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域。
2.1 主存储器
主存储器分为256 页，每页大小为2KB，共512KB。这个分页的概念，实质就是FLASH 存储器
的扇区，与其它FLASH 一样，在写入数据前，要先按页（扇区）擦除。
2.2 系统存储区
系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责串口、USB以及 CAN 等 ISP 等烧录功能。
2.3 选项字节
选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、待机、停机复位、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 16 个字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。
3 Flash是如何工作的？
3.1 解锁
由于内部Flash空间主要存储的是应用程序，是非常关键的数据，为了防止误操作修改了这些内容，芯片复位后默认会给控制寄存器 FLASH_CR 上锁，这个时候不允许设置 Flash 的控制寄存器，从而不能修改 FLASH 中的内容。
所有对 Flash 写入数据前，需要先给它解锁。解锁的操作步骤如下：
- 往 FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123
- 再往 FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
3.2 上锁
上锁的时候是对 FLASH_CR 寄存器的 FLASH_CR_LOCK 位置1。
3.3 页擦除
在写入新的数据前，需要先擦除存储区域， STM32 提供了页（扇区）擦除指令和整个 FLASH 擦除（批量擦除）的指令，批量擦除指令针对主存储区。
页擦除的过程如下：
- 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何 Flash 操作；
- 在 FLASH_CR 寄存器中，将 “激活页擦除寄存器位 PER ”置1；
- 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页；
- 将 FLASH_CR 寄存器中的”开始擦除寄存器 STRT“置1，开始擦除；
- 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。
3.4 写入数据
擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：
- 检查 FLASH_SR 中的BSY位 ，以确认当前未执行任何其他的内部 Flash 操作；
- 将 FLASH_CR 寄存器中的”激活编程寄存器位 PG“置1；
- 向指定的Flash存储器地址执行数据写入操作，每次只能以 16 位的方式写入；
- 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。
4 FLASH擦写代码配置流程
- 调用 FLASH_Unlock() 解锁；
- 根据起始地址及结束地址计算要擦除多少页；
- 调用 FLASH_ClearFlag() 清除各种标志位；
- 使用循环调用 FLASH_ErasePage() 擦除页，每次擦除一页；
- 使用循环调用 FLASH_ProgramWord() 函数向起始地址至结束地址的存储区域写入变量 ”Data“ 存储的数值；
- 调用 FLASH_Lock 上锁；
- 使用指针读取写入的数据内容并校验
5 相关寄存器
Note
- 擦除地址需要满足内存对齐，只能是扇区内存空间的整数倍。
- FlashDrive只能在调用的时候使用，其余情况下保障其不会被运行
- FlashDrive不能放在实际运行代码中，否则可能被串改数据
参考资料
STM32读写内部Flash（介绍+附代码）_Ch_champion的博客-CSDN博客
