4.半导体退火设备
双腔全自动兼容6-8寸快速退火炉RTP
产地:中国
型号: S803
特点: 室温到1250°C,应用于SiC,GaN等第三代半导体领域
简介 (Description)
S803系列自动快速退火炉,内置Robot可以自动取放片,适用于最大8英寸 (单片200mm200mm及6英寸 (单片150mm150mm) 硅片、第二代、第三代化合物材料等 (包括但不限于,确化稼,碳化硅,氮化嫁等各类衬底和外延片),拥有出色的热源和结构设计,独有专利的温度控制系统,能更为精准进行温控操作,可视化软件平台,也实时对温度进行监控并矫正,保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应,晶片上的热的均匀性将更好。多路气体配置(可定制更多),配置真空腔体,整机通过Semi认证。设备国产化率达到90%,配件渠道丰富。
设备主要工艺应用 (Application)
快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN):
离子注入/接触退火
高温退火;
高温扩散:
金属合金;
热氧化处理
设备主要应用领域 (Field)
化合物半导体 (磷化钢、砷化、氮化物、碳化硅等) ;
MEMS等传感器
二极管、MOSFET及IGBT等功率器件