产品概述：STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度，支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU)，可增强应用的安全性。
该MCU采用高速嵌入式存储器，具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM）。另外，该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设，以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器，并设有标准和高级通信接口。
技术参考
一、STM32H747AGI6 IC MCU 32BIT 1MB FLASH 169UFBGA
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7
内核规格：32 位双核
速度：240MHz，480MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG
外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数：112
程序存储容量：1MB（1M x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：1M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.62V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 28x16b; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：169-UFBGA
供应商器件封装：169-UFBGA（7x7）
二、STM32H747AII6 IC MCU 32BIT 2MB FLASH 169UFBGA
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7
内核规格：32 位双核
速度：240MHz，480MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG
外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数：168
程序存储容量：2MB（2M x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：1M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.62V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 28x16b; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：169-UFBGA（7x7）
三、STM32H747BGT6 IC MCU 32BIT 1MB FLASH 208LQFP
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M
内核规格：32 位双核
速度：240MHz，480MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG
外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数：148
程序存储容量：1MB（1M x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：1M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.62V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 32x16b; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：208-LQFP（28x28）
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