随着工艺精进，pr要处理的层次也越来越多，如何选择power plan的层次尤为关键，一方面决定ir drop的大小，影响着芯片的功能，一方面决定绕线资源，影响面积。

选择高层metal做power mesh的关键在于厚金属，tf / lef文件很轻松能查到金属厚度，厚金属做power mesh阻抗低，不影响绕线，对ir drop十分友好，但是高层金属接到mem pg pin兴许没有via stack问题，但是接core内怎么办，这时候就需要用中间层（可以是绕线层）做过渡，浪费资源的方法可以让中间层做完整power mesh，省资源可以做短stripe，只以接高层via为中心延伸出一段。