STM32H5开发(3)----电源控制RCC

news2024/10/9 6:21:18

STM32H5开发----3.电源控制&RCC

  • STM32H503 供电
  • STM32H562/563/573 LDO 供电
  • STM32H562/563/573 SMPS供电
  • LDO/SMPS 供电
  • PWR 特性
  • 电源电压监测
  • 温度监测
  • 低功耗模式
  • 低功耗模式-SLEEP 模式
  • 低功耗模式-STOP 模式
  • 低功耗模式-STANDBY模式
  • 低功耗模式监控管脚
  • VBAT模式
  • 复位触发源
  • 时钟源
  • 时钟树(简化)
  • 时钟输出 Clock-out
  • HSI & CSI
  • 外设内核时钟请求
  • Clock Security System (CSS)

STM32H503 供电

VDDA = 1.62 V ~3.6 V :ADC/DAC的外部供电电源
VDDIO2 = 1.08 V ~ 3.6 V : 9 I/Os (PA8, PA9, PA15, PB3:8)的外部供电电源(仅WLCSP25封装)
VDD = 1.71 V ~ 3.6 V: GPIO,内部电压调制器,系统复位模块,电源管理以及内部时钟的外部供电电源
VBAT = 1.2 V ~ 3.6 V :无VDD时通过功率切换开关给RTC/内部32kHz振荡器(LSI)/备份域寄存器/可选的备份SRAM供电
在这里插入图片描述

STM32H562/563/573 LDO 供电

VDDA = 1.62 V (ADCs, DACs) / 2.1 V (VREFBUF) ~ 3.6 V
VDDIO2 = 1.08 V ~ 3.6 V : 10 I/Os (PD6, PD7, PG9:14, PB8, PB9)的外部供电电源
VDD = 1.71 V ~ 3.6 V
VBAT = 1.2 V ~ 3.6 V
VDDUSB = 3.0 V ~ 3.6 V
VDDUSB USB独立供电电源.
VDDUSB与VDD独立,电平可以不同,在USB不使用的情况下必须将VDDUSB连接到VDD。
在这里插入图片描述

STM32H562/563/573 SMPS供电

VDDA = 1.62 V (ADCs, DACs) / 2.1 V (VREFBUF) ~ 3.6 V
VDDUSB = 3.0 V ~ 3.6 V
VDDIO2 = 1.08 V ~ 3.6 V : 10 I/Os (PD6, PD7, PG9:14, PB8, PB9)的外部供电电源
VDD = 1.71 V ~ 3.6 V
VBAT = 1.2 V ~ 3.6 V
VDDSMPS = 1.71 V ~ 3.6 V
VLXSMPS 为SMPS的输出管脚,滤波后连接到VCAP.
在这里插入图片描述

LDO/SMPS 供电

旁路供电模式下,Vcap必须在VDD达到POR电压值之前上升到1.1V以上,将LDO 禁止后,才可根据应用需要调整外部Vcap的电压。
在这里插入图片描述

PWR 特性

下图为STM32H5的128K与2M的mcu进行的供电对比图。
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

电源电压监测

由于有许多外部供电管脚,任何一个供电出现问题都可能导致MCU无法正常工作。因此,在H5中为了确保MCU的正常运行,系统中添加了多种电源电压监测功能,具体如下。
在这里插入图片描述

温度监测

温度传感功能使用片上专门的温度传感器,用于检测芯片的温度变化。该功能可以通过片上寄存器进行使能。一旦使能后,当温度高于126°C或低于-37°C时,对应的标志位将被置位,同时可能触发入侵事件或唤醒中断。当温度回归到正常范围内时,标志位将被正常清零。
在这里插入图片描述

低功耗模式

• STM32H5系列MCU包含3种低功耗模式 :
❖ SLEEP 模式
❖ STOP 模式
❖ STANDBY 模式

• VBAT 模式:
当VDD掉电,但VBAT供电的情况下,硬件自动启动

低功耗模式-SLEEP 模式

• CPU 时钟停止, 所有外设和CortexM33内核包括NVIC、SysTick可以运行,并在事件和中断发生时唤醒CPU
• 唤醒源: 任意中断或是唤醒事件
• 唤醒系统时钟 : 与进入Sleep模式之前相同
• 电压调整器范围 : VOS3, VOS2, VOS1 or VOS0

低功耗模式-STOP 模式

• 内核域的所有时钟停止,PLL, HSE, HSI (除非HSIKERON置位), HSI48 和CSI(除非CSIKERON置位) 都禁止
• RTC可保持工作 (Stop模式下可选择RTC是否工作)
• 退出Stop模式后,系统时钟为HSI或是CSI,取决于软件配置
• 唤醒源: 任何EXTI线(通过EXTI寄存器配置)指定的外设事件
• 唤醒时钟 : RCC_CFGR中STOPWUCK = 1 时,唤醒后时钟为CSI; STOPWUCK = 0 时,唤醒时钟为HSI,频率与进入Stop模式时相同, 最高可达64Mhz
低功耗模式-STOP 模式
• LSE或LSI保持工作
• 电压调整器范围 : SVOS3, SVOS4, or SVOS5

低功耗模式-STANDBY模式

• 电压调整器关闭,内核域完全掉电
• PLL, HSI, HSI48, CSI,HSE全部关闭
• SRAMs和寄存器的内容丢失,除了备份域的寄存器与SRAM以及Standby电路
• RTC可保持工作(Standby模式下可选择RTC是否工作)
• BOR在Standby模式下保持工作
• I/O 状态在Standby模式可保持
• 唤醒源: 唤醒管脚WKUPx边沿信号,RTC事件, 外部NRST管脚复位,独立看门狗复位(IWDG),BOR
• 唤醒时钟: HSI clock at 32 MHz
• 电压调整器: OFF

低功耗模式监控管脚

(1) PWR_CSLEEP AF 映射到PC3
(2) PWR_CSTOP AF 映射到PC2
(3) CSLEEP和CSTOP信号由Vcore域产生,因此在Standby模式下该信号无法获取
在这里插入图片描述

VBAT模式

• 备份域包含:

  • RTC(由LSE(32.768kHz)提供时钟)
  • 入侵检测管脚
  • 备份域寄存器
  • RCC_BDCR 寄存器
  • 备份SRAM(若备份电压调整器使能)

• VDD掉电与上电,内部开关在VDD与VBAT之间自动切换

  • 切换到VBAT供电模式由复位模块中的掉电复位控制

• 内部连接到ADC,用于电压检测(VBAT/4)

• VBAT 电池充电

  • 若VDD正常, 可以通过内部电阻对VBAT管脚上的外部电池充电
  • 设置PWR_BDCR寄存器中的VBE bit使能充电功能
  • VBAT模式下,充电功能默认禁止

复位触发源

在这里插入图片描述

时钟源

在这里插入图片描述

时钟树(简化)

在这里插入图片描述

时钟输出 Clock-out

在这里插入图片描述

HSI & CSI

• HSI为系统复位启动后的默认时钟,默认配置为32 MHz.
• CSI@4MHz 和 HSI@64MHz, 出厂/用户校准
• 通过STOPWUCK位,CSI or HSI可被选用为:

  • STOP模式唤醒后时钟
  • CSS(Clock Security System )备份时钟

• 退出STOP模式后可自动启动

  • 通过STOPWUCK 配置CSI 或 HSI启动

• STOP模式下可保持工作,实现快速唤醒 (设置CSIKERON/HSIKERON)
• 在STOP模式下,一些外设当其需要时钟去检测唤醒事件时,可使能CSI或HSI
注: 退出STANDBY模式后,HSI为32Mhz
在这里插入图片描述

外设内核时钟请求

• 具有内核时钟请求能力的外设:
• I3C
• I2C
• USART
• LPUART
• 收到请求后, RCC使能内核时钟 (for example CSI or HSI)

Clock Security System (CSS)

• HSE的CSS

  • 仅RUN/SLEEP模式可用
  • 如果时钟失效被检测到
    1.系统时钟根据用户配置切换到HSI或是CSI
    2.触发NMI
    3.触发Tamper
    4.事件关联到高级定时的Break输入

• LSE的CSS

  • VBAT模式可用
  • 检测时钟丢失或是频率异常,需要软件进行RTC时钟切换(LSI/HSE)
  • CSS检测信号连接到 tamper3
  • 使用的中断为TAMP中断

注意: 如果LSE CSS被触发: 受Tamper保护的区域(包括SRAM2) 无法访问,直到Tamper标志被软件清零

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