最近在使用AFR去嵌一个S参数的时候，遇到了如下问题：

首先介绍一下这个S参数，一端是MCIO连接器，另一端是CEM连接器，所以测试的时候一端接MCIO测试治具，一端接CEM测试治具，再通过线缆将测试治具连接到VNA上。我大概画了一个简图如下：

VNA测出来是S参数，使用软件转成TDR结果如下：

 可以看出来左右分别包含了夹具的部分。如果要在链路仿真中使用，必须进行去嵌操作，也就是把夹具那部分去掉，只保留连接器和裸线部分。

拿出来MCIO夹具位置再详细说一下，中间黑色的矩形是MCIO连接器，测试的时候将线缆插在这里，红色为夹具的PCB走线，蓝色是SMA连接器，从SMA连接器再引线到VNA。所以说，从红色线开始到VNA输入端这一段（下图虚线部分）都是我们不需要的，需要把这些损耗去掉，如何去掉呢？

 

 一般在MCIO夹具上，都有一段PCB走线，也就是下图中的蓝线，叫做2XTHRU，其长度等于两倍的红线长度，我们可以测试这段蓝线长度，然后把测试结果切成两半，那么一半就是我们想要去掉的损耗。

 

上图中，两个虚线框中的损耗是一样的， 所以就用原始的实测S参数减去2XTHRU实测S参数的一半，就是我们需要的仅包含连接器和裸线的数据，说的再详细一点，就是实测带夹具的S参数是A，MCIO夹具的2XTHRU 实测S参数是B，CEM夹具的2XTHRU 实测S参数是C，我们需要的就是A左侧减去B/2，右侧减去C/2之后的结果。

但是去嵌完之后，发现阻抗曲线变成了这样：

 阻抗直接打到了100Ohm以上，并且曲线振荡明显，肯定是哪里出问题了，经过一番排查，在检查CEM连接器的2XTHRU实测S参数的时候发现了问题。如下图，2XTHRU其实就是PCB上一段差分线，所以在测试的时候每个port的阻抗都应该是基本一致的，但是下图中，T22的阻抗明显比其他三条线偏高，有可能的原因是未校准VNA。

 经过重新测试，解决掉上图中的问题之后，再次重新去嵌，结果正常。

所以在去嵌之前，一定要先检查去嵌S参数和待去嵌S参数是否异常，之后再进行去嵌。