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FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
型号：FQL40N50
品牌：ON/安森美
封装：TO-264
最大漏源电流：40A
漏源击穿电压：500V
RDS（ON）Max：110mΩ
引脚数量：3
工作温度：-55℃~150℃
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
FQL40N50特点
40A，500V，RDS(on)= 110mΩ（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 20A 时）
低栅极电荷（典型值 155nC)
低 Crss（典型值 95pF)
100% 经过雪崩击穿测试FQL40N50概述：
FQL40N50是N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
应用
照明
小家电
电源
智能家居
