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ASEMI高压MOS管20N60参数：

型号：20N60

漏极-源极电压（VDS）：600V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：20A

功耗（PD）：239W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω

二极管正向电压（VSD）：1.4V

输入电容（Ciss）：3520pF

二极管反向恢复时间（trr）：530nS

 

20N60封装体积：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

 

20N60特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=600V，ID=20A

RDS（开）:0.40Ω （最大值）@VG=10V

100%雪崩测试