上次，我们总结了光刻工序部分的术语，见文章：
《光刻工序常见术语中英文对照（1）》
这次，我们把剩下的又总结了一些，供大家参阅。
1，Developer Mist：显影液回溅产生的水雾，是显影过程引入的一种缺陷。
2，Bubble：气泡，比如光刻胶中含有气泡。
3，Swelling：膨胀，在曝光前光刻胶表面存在水滴，水滴在光刻胶顶部胶层（ Top Coating ）中的渗透造成顶部胶层膨胀。
4，Contact Angle：接触角，通过测量接触角可以得出光刻胶的润湿性。
5，diffraction：衍射，当掩膜板开口尺寸接近或小于入射光波长时，衍射效应很明显，这会导致在晶圆表面无法得到理想的锐利边缘，而形成模糊的图形。
6，interference：干涉。干涉在光刻中会产生驻波效应。当入射光和从晶圆表面反射的光相遇时，会在光刻胶内形成驻波，显影后得到的结构就是周期性的锯齿状结构。
7，Mercury lamp：汞灯。用于产生G线（436 nm）和i线（365 nm）的光线。
8，Excimer laser：准分子激光灯。用于产生KrF（248 nm）和ArF（193 nm）光线。
9，solvent：溶剂。光刻胶中含有溶剂。
10，novolak：酚醛树脂，光刻胶的主体支撑结构
11，DNQ：二（重）氮萘醌，感光剂的一种。
12，TMAH：四甲基氢氧化铵,显影液的主要成分。
13，dose：剂量，比如曝光的剂量
14，OPC：光学邻近校正，作用是弥补衍射造成的图像错误。
15，positive resist：正性光刻胶
16，negative resist:负性光刻胶
17，Immersion lithography machine：浸没式光刻机，一般为ArF+浸没式，其他波长的光线不配备浸没式技术。
18，coat：匀胶
19，uniformity：非均匀性，主要是用来衡量胶厚是否一致。
20，cp：光刻胶粘度单位，如光刻胶AZ4620的粘度为440cp
21，rpm：转速单位，比如匀胶时设定转速为2000rpm，即每分钟两千转。
22，PGMEA：一种溶剂
23，hole：光刻胶上的针孔
24，resist residue：光刻胶残留
25：fence：细小的光刻胶残留
26，Lens：光刻机的透镜，蔡司公司的透镜全球第一。
27，Å：长度单位，0.1nm
由于篇幅有限，今天先总结到这里，后面会对其他工序再进行总结。
