中微8S6990 EEPROM踩坑记录

news2024/12/22 19:30:27

中微8S6990 EEPROM内容丢失解决记录

问题描述:

问题程序如下:

void temp_remember(uint16_t temperature,uint16_t address_H,uint16_t address_L)
{
    uint8_t temp,temp1 = 0;

    temp = temperature>>8;
    temp1 = temperature;

	FLASH_UnLock();
    FLASH_Erase_DataArea(address_H);
    delay_ms(1);
    FLASH_Erase_DataArea(address_L);
    delay_ms(1);
    FLASH_Write_DataArea(address_H,temp);
    FLASH_Write_DataArea(address_L,temp1);
	FLASH_Lock();
}

void EEProm_Write(void)
{
    FLASH_UnLock();
    delay_ms(1);
    FLASH_Erase_DataArea(var4_addr);
    delay_ms(1);
    FLASH_Write_DataArea(var4_addr,0x7F);		/* var4_addr -- 0x00 */
    FLASH_Lock();

	/* temp_air_H -- 0x01   temp_air_L -- 0x02 */
	temp_remember(temperature_air,temp_air_H,temp_air_L);
}

理论效果: 按照理论来说,EEPROM的0x00地址会被写入0x7F , 0x01地址会被写入温度高位 , 0x02地址会被写入温度低位.

芯片特性: 数据保存的位置是6990N的数据存储区，中微规格书中标称数据存储区擦写次数可达10万次，大小为1KB，分两页，每页512KB，而Flash空间智能擦写2万次，所以数据存储区更适合作为EEPRom来使用。

现象描述：上面程序选择写入的就是6990N的数据存储区（0x00-0x3FF），将0x7F写入0x00这个地址，实测发现0x00的数据内容始终是0xFF，即没写入内容的状态。找问题找了2个多小时才发现问题之处。

排查过程：

发现0x00始终内容为0xFF，但是0x01和0x02地址的数据内容又符合我写入的数据，这是最奇怪的，所以我尝试把这段程序换为这样写：
```
	FLASH_UnLock();
	delay_ms(1);
    FLASH_Erase_DataArea(var4_addr);
    delay_ms(1);
    FLASH_Write_DataArea(var4_addr,0x7F);		/* var4_addr -- 0x00 */
    FLASH_Lock();

//改为以下写法
	temp_remember(0x8F7F,0x03,0x04);
```
观察0x03和0x04的内容是不是8F和7F，但实测发现这两个地址的内容都是0xFF，说明没有写入成功。

第一步不成功，智能先把第二段写入EEPROM的程序先注释掉，试试只写入0x00这个地址会有什么效果

	FLASH_UnLock();
    delay_ms(1);
    FLASH_Erase_DataArea(var4_addr);
    delay_ms(1);
    FLASH_Write_DataArea(var4_addr,0x7F);		/* var4_addr -- 0x00 */
    FLASH_Lock();

	/* temp_air_H -- 0x01   temp_air_L -- 0x02 */
	// temp_remember(temperature_air,temp_air_H,temp_air_L);

执行程序之后，读取0x00这个地址惊喜的发现读出来的数据变为 0x7F 了，说明写入成功！

经历了一些更换调用位置、更换写法等不同的试错手段之后，得出基本结论：

	FLASH_UnLock();
	delay_ms(1);
    FLASH_Erase_DataArea(var4_addr);
    delay_ms(1);
    FLASH_Write_DataArea(var4_addr,0x7F);		/* var4_addr -- 0x00 */
    FLASH_Lock();

执行了FLASH_Erase_DataArea(var4_addr); 擦除操作之后，FLASH_Write_DataArea(var4_addr,0x7F); 写入了内容，然后FLASH_Lock(); 锁上了操作FLASH的一些寄存器的修改标志。

后面紧接着又立刻执行了 FLASH_UnLock(); 解锁了操作FLASH的寄存器，并执行了新一轮的擦除FLASH_Erase_DataArea(address_H); 就是后面的这个擦除导致前面调用的FLASH_Write_DataArea(var4_addr,0x7F); 没有执行成功，具体原因不得而知。

中微提供的参考手册写道：
在这里插入图片描述

中微提供的参考代码中写道：

    FLASH_UnLock();
	addr= 0;
	Dtemp =0;
	FLASH_Erase_DataArea(addr);
	for(i = 0 ;i< 256 ;i++)		//连续256 bytes的写等待Flash执行完成
	{		
		FLASH_Write_DataArea(0x3ff, 0xFF); //写地址使用最后的地址(任意地址都可以，建议用使用较少的地址)
	}
	for(addr=0;addr<0x10; addr++)
	{		
		FLASH_Write_DataArea(addr, Dtemp++);		
		temp = FLASH_Read_DataArea(addr);	
	}
	FLASH_Lock();