九.STM32F030C8T6 MCU开发之电源掉电数据保存案例

0.总体功能概述

使用STD库–en.stm32f0_stdperiph_lib_v1.6.0。

1.掉电数据保存背景

掉电保存数据的时间内 电源稳定。也就是数据保存时间要尽量短，电源稳定要尽量长。

第一种，采用备用电池的方法来实现,增加了电池和更换管理成本。

第二种，依靠电容的残存电量延长保存数据的时长从而维持芯片的运行，然而维持时间短存在无法保存的风险。

第三种，进行外部硬件电压比较,当外部输入电压低于一定阀值后进行FLASH保存，

在失去外部电源时，使电容的剩余电荷为存储数据等休眠/停机前的所有操作供电。但是当设备掉电时，多项事件同时存在，都要结束并写入存贮区的情况下，需要将大量数据多次写入存贮区。此时，电解电容无法满足要求。

当电池提前介入会大大减小电池的设计工作时长。当电池电量耗尽时会造成写入数据不正确，从而引起运行数据错误的故障。

2.MCU 数据保存机制

2.1 STM32F030 FLASH参数

2.1.1 STM32F030 erase time/prog time