1、二极管

• 正向偏置。
  • （足够的外部电压使得PN结势垒区消失）
  • 在正向编制电压的作用下，电子从N区逐步向P区扩散
  • 电子源源不断从外部电路进入N区、P区，再回到外部电路。导通
    
• 反向偏置
  • 势垒区变宽，=》反向电压非常大（造成雪崩击穿）
    
• 功率二极管
  • 相比较PN结二极管，中间多了一个低参杂N-半导体。
  • 提高了反向耐压的能力（但同时通态压降升高）
    

2、BJT

• 多子的扩散与少子的漂移
  
• 小阀门推动大阀门的运动
  

3、晶闸管（SCR）

• 原理
  一旦SCR导通，门级G便失去了作用，只能将阳极电流IA降低到IH以下才能将其关断。

  • 导通是正向偏置，慢慢增大电流Ig（>IL）
  • 关断是正向偏置，慢慢减小电流IA（<IH）
  • 一般IL是IH的2~3倍

• 正反馈再生机制
  

4、TRIAC

• 在单SCR的基础上增加了反并联SCR，因此无阳极阴极之分，两门极复用，
• 主端1 MT1、主端2 MT2、门极G
• AC交流电下，避免单SCR只能半周期导通的浪费

5、GTO（全控器件）

• GTO是SCR的一种权衡
• 可以类比二极管的各种类型的二极管

6、功率MOSFET（开关速度快、电压驱动更容易）

• 增强型MOSEFT(N沟道)
  

• 耗尽型MOSEFT（N沟道）
  

• 示意图
  

• MOSEFT的源极S和漏极D反以下也能导通，这与三极管有区别！！！

• 功率MOSEFT
  是特定类型的金属氧化物半导体场效应管

7、IGBT

• 增强型的MOS + PNP的三级管 = IGBT
  
• IGBT工作原理（由G极开/关）
  • 导通：开启电压 -》MOS内形成沟道 -》三极管提供基极电流 -》IGBT导通
  • 关断：施加反向电压或不加信号 -》沟道消失 -》基极电流被切断 -》IGBT关断
• IGBT的擎柱效应
• IGBT的开关速度小于电力MOSEFT

8、总结

• 以上内容皆是来自B站西瓜粥老师。
• 视频链接：https://www.bilibili.com/video/BV1v7411j7VV/?p=11&spm_id_from=333.1007.top_right_bar_window_history.content.click&vd_source=000517e2f52ac26c3dd3a8f0f47a1852