全部学习汇总： GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275! (github.com)

这一页主要是描述了当前的PMU版本与之前就版本相比之下的变更，对于第一次接触了解这个模块来说，其实了解前面的基本特性就好了。而这个差异，没有细看的必要。

ECC可以关闭在这里写成了是一个新特性，由此，之前的芯片中PMU不允许关闭ECC？

1. 在执行编程或者擦除之前，需要先禁用ENDINIT。
2. 操作Flash的时候，相应的代码尽量放在RAM中。总之，不要尝试操作擦除程序所在的Flash。
3. 最后面给出来了一个基本的编程流程，算是一种“防御式”编程，保证整体的过程万无一失。

1. 擦除的过程也有一个推荐的流程以保证可靠性，相应的过程与编程类似。
2. 使用DFlash进行EEPROM模拟，有几个基本的原则：用多的Flash模拟一个小的EEPROM；保证整体的存储寿命；需要考虑完备的更新机制。

1. 在一般的策略中，可以考虑双分区。这里解释了一下双分区的概念，双分区的两个区是在轮流工作的。
2. 中间部分做了一下FEE可能出现的问题，其实编程与擦除都会有ECC的触发可能。基本上是在高压操作的时候，出现这样的情况。
3. 对于鲁棒性的提升，另外一个可以考虑的策略是通过RAM备份一下数据，完成操作之后进行一下对比。

遇到错误之后的几种解决方式：1，错了之后存在其他的块；2，重复存几次，如果成功了就算是修复，不成功的时候报错； 3，通过策略兼容一下部分坏区的情况。

1. 这里的错误处理主要还是针对ECC，导致这样的问题原因可能是α粒子或者永久性损坏。但是，在实际的应用场景中可能并不存在。
2. 软件处理需要考虑是否必需要处理，只处理必要的分区以免造成寿命问题。

1. 全1的方式可以用来标注失效的字行。
2. 如果操作Flash的过程中，密码错了需要进行故障清除，调用reset to read来实现。
3. 擦除的验证错误主要是针对DFlash的，如果是PFlash一般直接认为这个MCU坏掉了。但是在DFlash中，这个是有可能进行修复的。