DCDC丝印2401替代原因：

国产器件未提供中文说明书，截止到2024年4月20日。
批量价格约9毛，比LGS5148贵50%，且输入电压没有LGS5148高，而LGS5148还提供了中文说明书。
2者引脚定义相同。
LGS5148详情请点此处打开CSDN连接。

2401特点

宽范围4.5V-40V输入电压
高达600mA的输出电流
全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET
固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸，低纹波
0.8V±2.5% 反馈参考电压
强宽脉冲调制（FPWM）模式
80ns最小导通时间
内置 1ms软启动时间
过温保护
TSOT23-6L 封装

2401概述

SCT2401F是一种高频、高达600mA的连续输出同步降压变换器。它具有从4.5V到40V的宽输入电压，全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管。SCT2401F采用峰值电流模式控制，内置回路补偿，使芯片使用方便。SCT2401F具有固定的1.2MHz开关频率，最大限度地减小了外部片外无源元件的尺寸，当输出电压为12V时，将输出纹波降低到低于输出的0.1%。由于高侧MOSFET的最小导通时间为80ns，SCT2401F允许从高输入电压到低输出电压的功率转换。SCT2401F支持强制脉宽调制（FPWM）模式，以实现轻负载模式下的小输出纹波。
SCT2401F提供逐周期电流限制、热关机保护和输入电压欠压保护。该设备采用6针小型TSOT23-6封装。

2401应用:

工业24V分布式电源总线
功率计
电梯、PLC、伺服
自动控制
汽车

SCT2401内部框图

SCT2401最小电路

SCT2401应用电路

峰值电流模式控制和脉冲跳跃模式

该SCT2401采用固定频率峰值电流模式控制。内部时钟启动打开在每个周期中集成高侧功率MOSFET Q1，然后电感电流线性上升。当电流通过高侧MOSFET达到内部误差放大器COMP电压设定的阈值电平，高侧MOSFET关断。同步低侧MOSFET Q2导通，直到下一个时钟周期开始或电感电流降至零。
误差放大器通过将FB引脚的电压与内部0.81V基准电压进行比较来为COMP节点提供服务电压。当负载电流增加时，相对于基准电压源的反馈电压降低，COMP值就会升高电压，直到平均电感电流与增加的负载电流相匹配。这个反馈回路很好地调节了基准电压的输出电压。该器件还集成了一个内部斜率补偿电路，以防止在占空比大于 50% 时发生次谐波振荡，以实现固定频率峰值电流模式控制。
该SCT2401在轻负载电流的脉冲跳跃模式（PSM）下运行，以提高效率。当负载电流减小，反馈电压的增加导致 COMP 电压下降。当 COMP 跌至低点时箝位阈值（典型值为400mV），器件进入PSM。输出电压因输出电容而衰减在跳跃期间放电。一旦FB电压下降到低于基准电压，而COMP电压升至低钳位阈值以上。然后，高侧功率MOSFET在下一个时钟脉冲中导通。经过几次在典型的 100mA 峰值电感电流下，COMP 电压下降并再次箝位并脉冲如果输出继续轻载，则重复跳过模式。
这种控制方案通过跳过周期来减少开关功率损耗和栅极，有助于实现更高的效率驱动充电损耗。

VIN 电源

该SCT2401设计用于在 4.5V 至 40V 的输入电压电源范围内工作，至少 0.1uF建议对陶瓷电容进行去耦，以绕过电源噪声。如果输入电源定位多个距离转换器几英寸，一个额外的电解或钽大容量电容器或推荐的 10uF 电容器除了局部陶瓷旁路电容器外，还需要。

输出电压

该SCT2401将内部基准电压调节在 0.81V，在工作电压范围内具有 2.5% 的容差温度和电压范围。输出电压由从输出节点到FB引脚的电阻分压器设置。它建议使用 1% 容差或更好的电阻器。使用公式2计算电阻分压器的电阻。为了提高轻负载时的效率，建议使用更大值的电阻器。但是，如果值太高，稳压器将更容易受到影响输出电压精度的噪声的影响。

峰值电流限制

该SCT2401具有逐周期峰值电流限制，可在过流情况。当 Q1 导通时，其导通电流由内部检测电路监控。
一旦高端MOSFET Q1电流超过限值，它就会立即关断。最大电流通过通过功率MOSFET是逐周期限制的。开关频率向后折叠以防止电感启动或短路期间的电流失控。

Bootstrap 稳压器

BST 和 SW 引脚之间的外部自举电容器为浮动高侧功率 MOSFET 栅极驱动器供电。
当高侧功率MOSFET时，自举电容电压由集成稳压器充电关断和低侧功率MOSFET导通。
浮动电源（BST至SW）UVLO阈值上升2.7V，迟滞为350mV。当转换器在高占空比下运行或在睡眠模式下延长一定时间，充电所需的时间间隔自举电容器太长，无法保持自举电容器的电压足够。当电压跨过自举电容降至 2.35V 以下，发生 BST UVLO。SCT2401介入以导通低侧MOSFET定期刷新自举电容器的电压，以保证在宽占空比范围内工作。

内部软起动

该SCT2401集成了一个内部软启动电路，可将基准电压从零伏斜坡提升至 0.81V参考电压以 1ms 为单位。如果EN引脚被拉至1.1V以下，开关停止，内部软启动复位。
由于热过载，软启动在关断期间也会复位。
过流保护该SCT2401通过逐周期限制高端MOSFET峰值电流和实现过流保护。
低侧MOSFET谷值电流，避免电感电流在意外过载或输出硬时流失短条件。在高侧MOSFET Q1和低侧MOSFET Q2导通期间监控电感电流IL。
如图15所示，当发生过载或硬短路时，一旦高侧MOSFET Q1电流超过1HS 限制，Q1 立即关闭，Q2 打开。如果低侧 MOSFET Q2 电流高于Q2 导通时间和下一个开关周期期间的 LS 电流限制将被跳过，直到 Q2 电流低于 LS 电流限制。然后，Q1 在另一个 Over 保护周期中打开，Q2 关闭，直到过载或硬短路释放。

过压保护

该SCT2401采用过压保护 OVP 电路，以较大限度地降低输出电压过冲负载瞬态，从输出故障状态或轻负载瞬态中恢复。OVP中的过压比较器电路将FB引脚电压与内部基准电压进行比较。当 FB 电压超过内部的 110% 时0.81V基准电压，高侧MOSFET关断，避免输出电压持续升高。当FB引脚电压降至0.81V基准电压的105%以下，高侧MOSFET可再次导通。

热关断

一旦SCT2401中的结温超过170°C，热传感电路就会停止转换器开关并在结温降至145°C以下时重新启动。 热关断可防止损坏在过热和耗电情况下在设备上。