目录
嵌入式 Flash大概了解
数据手册2.3.2章节
结构图f407
等待周期
Flash 控制寄存器解锁
编程/擦除并行位数
擦除
编程（写入）
工程程序
嵌入式 Flash大概了解
可以从flash区域启动程序；大概是程序区可以在flash，所以是可以直接读取数据的
数据手册2.3.2章节
Flash 接口可管理 CPU 通过 AHB I-Code 和 D-Code 对 Flash 进行的访问。该接口可针对
Flash 执行擦除和编程操作，并实施读写保护机制。Flash 接口通过指令预取和缓存机制加速
代码执行。
Flash 结构如下：
● 主存储器块分为多个扇区。
● 系统存储器，器件在系统存储器自举模式下从该存储器启动
● 512 OTP（一次性可编程）字节，用于存储用户数据。
● 选项字节，用于配置读写保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止
模式下的复位。
可以知道flash是存储程序用的，可以用来做主存储
结构图f407
主存储器大概有12个扇区：主要的数据程序都在这里；
当使用时要注意程序的大小，在程序大小之外使用。不然会影响，擦除原来存储的程序；造成死机；
等待周期
为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控
制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地编程等待周期数 (LATENCY)
所以一句话：读取数据需要时间，并且根据HCLK和电压范围得到的CPU周期；
168M 的HCLK 和 3.3V的电压 可以知道等待周期大概6个CPU时间；
Flash 控制寄存器解锁
复位后，Flash 控制寄存器 (FLASH_CR) 不允许执行写操作，以防因电气干扰等原因出现对
Flash 的意外操作。此寄存器的解锁顺序如下：
1. 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY1 = 0x45670123
2. 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
如果顺序出现错误，将返回总线错误并锁定 FLASH_CR 寄存器，直到下一次复位。
所以操作配置的时候必须要先解锁；
编程/擦除并行位数
通过 FLASH_CR 寄存器中的 PSIZE 字段配置并行位数。并行位数表示每次对 Flash 进行写
操作时将编程的字节数。
可以从手册知道位宽128,即32字节；所以配置应该32字节即可；
擦除
Flash 擦除操作可针对扇区或整个 Flash（批量擦除）执行。执行批量擦除时，不会影响
OTP 扇区或配置扇区。
扇区擦除
扇区擦除的具体步骤如下：
1. 检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
2. 在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并从主存储块的 12 个 (STM32F405xx/07xx
和 STM32F415xx/17xx) 或 24 个 (STM32F42xxx 和 STM32F43xxx) 扇区中选择要擦除
的扇区 (SNB)
3. 将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1
4. 等待 BSY 位清零
编程（写入）
标准编程
Flash 编程顺序如下：
1. 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何主要 Flash 操作。
2. 将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1。
3. 针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作：
— 并行位数为 x8 时按字节写入
— 并行位数为 x16 时按半字写入
— 并行位数为 x32 时按字写入
— 并行位数为 x64 时按双字写入
4. 等待 BSY 位清零。
工程程序
不懂地址谨慎使用，会破坏原来的程序；
文件C
#include"flash_eeprom.h"
/***** 读取字 *******/
uint32_t flash_read_word( uint32_t *addr )
{
return *addr;
}
uint32_t flash_read( uint32_t addr,uint32_t *buff ,uint32_t cnt )
{
uint32_t i;
for(i=0 ;i<cnt ;i++)
{
*buff++=flash_read_word( (uint32_t *)addr );
addr+=4;
}
}
/*
用地址来确定是flash的哪一个扇区
addr flash的地址
*/
uint16_t flash_get_sector_x( uint32_t addr )
{
if(addr<FLASH_SECTOR1_ADDR ) return FLASH_Sector_0;
else if( addr<FLASH_SECTOR2_ADDR ) return FLASH_Sector_1;
else if( addr<FLASH_SECTOR3_ADDR ) return FLASH_Sector_2;
else if( addr<FLASH_SECTOR4_ADDR ) return FLASH_Sector_3;
else if( addr<FLASH_SECTOR5_ADDR ) return FLASH_Sector_4;
else if( addr<FLASH_SECTOR6_ADDR ) return FLASH_Sector_5;
else if( addr<FLASH_SECTOR7_ADDR ) return FLASH_Sector_6;
else if( addr<FLASH_SECTOR8_ADDR ) return FLASH_Sector_7;
else if( addr<FLASH_SECTOR9_ADDR ) return FLASH_Sector_8;
else if( addr<FLASH_SECTOR10_ADDR ) return FLASH_Sector_9;
else if( addr<FLASH_SECTOR11_ADDR ) return FLASH_Sector_10;
else return FLASH_Sector_11;
}
void flash_write( uint32_t addr ,uint32_t *buff ,uint32_t cnt )
{
FLASH_Status state=FLASH_COMPLETE;
uint32_t start_addr=addr;
uint32_t end_addr=start_addr+cnt*4;
FLASH_Unlock();//解锁
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//禁止数据缓存
if( (addr < FLASH_START_ADDR && addr > FLASH_END_ADDR ) || addr%4 !=0 ) return; //确保地址在主储存区域
while( start_addr < end_addr)
{
if( flash_read_word( (uint32_t * )start_addr ) != 0xffffffff)
{
state=FLASH_EraseSector( flash_get_sector_x(start_addr), VoltageRange_3 );//擦除需要电压相关，得到周期时间
if( state != FLASH_COMPLETE )
{
break;
}
}
start_addr+=4;
}
start_addr=addr;
if(state== FLASH_COMPLETE)
{
while(start_addr< end_addr)//写数据进flash
{
if(FLASH_ProgramWord( start_addr , *buff++) !=FLASH_COMPLETE )
{break;}
start_addr+=4;
}
}
FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);//使能数据缓存
FLASH_Lock();//锁上
}
文件H
#ifndef FLASH_EEPROM_H
#define FLASH_EEPROM_H
#include "main.h"
#define FLASH_START_ADDR 0x08000000
#define FLASH_SECTOR0_ADDR 0X08000000 //16k
#define FLASH_SECTOR1_ADDR 0X08004000 //16k
#define FLASH_SECTOR2_ADDR 0X08008000 //16k
#define FLASH_SECTOR3_ADDR 0X0800C000 //16k
#define FLASH_SECTOR4_ADDR 0X08010000 //64k
#define FLASH_SECTOR5_ADDR 0X08020000 //128k
#define FLASH_SECTOR6_ADDR 0X08040000 //128k
#define FLASH_SECTOR7_ADDR 0X08060000 //128k
#define FLASH_SECTOR8_ADDR 0X08080000 //128k
#define FLASH_SECTOR9_ADDR 0X080A0000 //128k
#define FLASH_SECTOR10_ADDR 0X080C0000 //128k
#define FLASH_SECTOR11_ADDR 0X080E0000 //128k
#define FLASH_END_ADDR 0x080EFFFF
#define FLASH_USER_ADDR 0X080E0000 //
uint32_t flash_read( uint32_t addr,uint32_t *buff ,uint32_t cnt );
void flash_write( uint32_t addr ,uint32_t *buff ,uint32_t cnt );
#endif主
#include "main.h"
#define tmep_len 30
uint8_t temp_buf[tmep_len]={0};
void test();
uint8_t *mian_temp;
double time_us;
int main(void)
{
u8 key,flag ,i,n=5; //保存键值
static bool cnt;
// delay_init(168); //初始化延时函数
software_times_base_init( 168 );
uart_init(115200);
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
LED_Init(); //初始化LED端口
BEEP_Init(); //初始化蜂鸣器端口
KEY_Init(); //初始化与按键连接的硬件接口
LED1=!LED1;
LED0=!LED0;
while(1)
{
key=KEY_Scan(0);
if(key==1)
{
mian_temp=temp_buf;
memset( mian_temp, 0 ,tmep_len );
flash_read( FLASH_USER_ADDR,(uint32_t *)mian_temp ,tmep_len );//读取 tmep_len 长的数据 ，并且要地址在程序区之外
for(i=0;i< tmep_len;i++)
{
printf( "%d " ,mian_temp[i]);
}
printf( "\r\n");
}
if(key==2)
{
mian_temp=temp_buf;
memset( mian_temp, n++ ,tmep_len );
flash_write( FLASH_USER_ADDR ,(uint32_t *)mian_temp ,tmep_len );//写入 tmep_len 长的数据 ，并且要地址在程序区之外
mian_temp=temp_buf;
memset( mian_temp, 0 ,tmep_len );
flash_read( FLASH_USER_ADDR,(uint32_t *)mian_temp ,tmep_len );
for(i=0;i< tmep_len;i++)
{
printf( "%d " ,mian_temp[i]);
}
printf( "\r\n");
}
}
}
