一，存储器

新型计算机的存储器组成可分为：CPU寄存器，高速缓冲寄存器，主存储器（简称内存/主存），辅助存储器（简称辅存/外存）。
内存储器由半导体芯片组成，依赖于电来维持信息的保存状态。
外存储器通常是磁性介质，能长期保存信息，不依赖电。
高速缓冲（Cache），解决CPU 与内存之间的速度匹配问题。

1.1 概述

半导体存储器优点：集成度高，速度快，功耗低，价格便宜，可靠性强，使用方便
=>已成为微型计算机的最主要的存储器
使用存储器要考虑的问题：
① 易失性；
② 只读性；（ROM）
③ 存储容量；
④ 速度。
⑤ 功耗；

1.1.1 半导体存储器的分类

按制造工艺：

• 双极型存储器（TTL型晶体管）：特点是存取速度快，但和MOS型比，集成度低，功耗大，成本高，常作为高速缓冲存储器（Cache）
• MOS型存储器
  • 静态RAM
  • 动态RAM
  • EPROM
  • E^2PROM（$E^{2}PROM$）（EEPROM）
  • Flash Memory
  • 速度较双极型慢，但集成度高，功耗低，价格便宜，是构成微型机内存的主要半导体存储器件。

易失性或挥发性存储器 / 不易失性或不挥发性存储器

断电后会丢失信息，被称为易失性或挥发性存储器；
电源关闭后，存储的信息不会丢失被称为 非易失性或不挥发性存储器。

按制造工艺：

• 随机存取存储器RAM（Random Access Memory）（读写存储器）
  信息可以按地址随时读出或写入。一般来说，RAM断电后会丢失信息，被称为易失性或挥发性存储器；但是现在有些RAM芯片内部带有电池，被称为 非易失性或不挥发性存储器。
  RAM 分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）：
  • 静态RAM 读写速度快，但集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器
  • 动态RAM 读写速度慢于静态RAM，但集成度高，单片容量大，多用于存储量大的系统中。动态RAM利用电容的电荷存储效应来存储信息，必须周期性对其刷新。
• 只读存储器ROM（Read Only Memory）
  信息是在使用前或制造时写入的，作为固定信息存储，正常运行时只能读，不能写。电源关闭后，存储的信息不会丢失，是 非易失性或不挥发性存储器。
  常用来存放操作系统的核心程序（如BIOS）或用户固化的程序。
  根据信息写入的方式，常用ROM类型有：
  • 掩膜式ROM（Masked ROM），简称ROM
  • 可编程ROM（Programmable ROM），简称PROM
  • 可擦除ROM（Erasable ROM），简称EPROM
  • 电可擦除ROM（Electrically Rrasable ROM），简称 EEPROM 或$E^{2}PROM$
  • 闪速存储器（Flash Memory）

1.1.2 半导体存储器的性能指标

存储容量，存取速度，功耗，可靠性，性能/价格比，功耗
存储容量表示方式：N * M：N表示存储单元数（也是地址线根数），M每单元的存储位数（也是数据线根数）
$存储容量=2^M\times N$

1.1.3 半导体存储器的一般结构及组成

• 存储矩阵
• 地址译码器
• 三状态双向缓冲器
• 控制逻辑电路

1.2 随机存取存储器 RAM

• 主要用来存放当前运行的程序，各种输入输出数据，中间运算结果，堆栈等
• 随时可读可写
• 掉电后内容全部丢失
• 静态RAM 和 动态 RAM

1.2.1 静态RAM

静态RAM以触发器为基本存储单元。
只需要写入一次，就能一直在，除非被重新写入覆盖

电路结构 P220 略

静态RAM 芯片举例：SRAM 2114，SRAM 6264

1.2.2 动态RAM

利用电容存储电荷的原理来保存信息，它将晶体管结电容的充电状态和放电状态分别作为1和0。DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容

电路结构 P222 略

• 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新（2ms内必须都被刷新一次），刷新按行进行。刷新方式有三：定时集中刷新，非同步的刷新，同步刷新方式。
• 每个基本存储单元存储二进制数一位

动态RAM 芯片举例：DRAM 2164

1.2.3 RAM存储容量扩展方法 ***重点

使用存储器需要考虑的两个问题：

• 使存储单元的位满足要求
• 使存储单元的个数满足要求

位扩展

只进行存储单元位数扩充。
把各存储芯片的地址线，片选信号线和读/写控制信号线相应地并联，各芯片数据线分别接到系统的数据线上。

字扩展

只进行存储单元（字）数目的扩展
将存储芯片的所有地址输入端，I/O数据端 及 读/写控制端 分别连在一起，而降这些芯片的片选信号端各自分开（接到地址高位上），由片选信号来区分各片地址。

字位扩展

同时进行存储单元位数扩充 和 存储单元（字）数目的扩展。

1.2.4 RAM 存储器与CPU连接 ***重点

实质上是RAM 存储器芯片与系统总线的连接
CPU 与静态RAM存储器连接时，主要解决数据总线，地址总线和控制总线的连接问题。

存储芯片与CPU总线的连接，有两个很重要的问题：

• CPU的总线负载能力
  CPU的总线驱动能力有限
  单向传送的地址和控制总线，可采用三态锁存器和三态单向驱动器等来加以锁存和驱动
  双向传送的数据总线，可以采用三态双向驱动器来加以驱动
• 存储芯片与CPU总线时序的配合
  分析存储器的存取速度是否满足CPU总线时序的要求
  如果不能满足：
  考虑更换存储芯片
  总线周期中插入等待状态TW

（1）数据总线的连接

• 三态缓冲器
  静态RAM芯片 中的输入输出电路包含 三态缓冲驱动器时，芯片的数据线可直接挂接到 CPU 的数据总线上去，对于不含三态缓冲器的芯片构成的存储器，则须加三态缓冲驱动器，再与CPU 的数据总线相接。
• 传送方向控制门（增加灵活性）
  可在CPU 数据总线与存储器数据线间加入数据传送方向控制门电路，以提高系统控制的可靠性和灵活性。在8086系统中，用8286/8287 芯片控制数据的传送方向。

（2）地址总线的连接

CPU 的地址总线通常分为两部分：

• 一部分直接与存储芯片用以片内寻址的地址线连接，通常是从$A_0$开始的低地址部分。（部分译码在存储芯片内部进行，即 片内译码）
• 另一部分则经译码器译码，产生的片选信号与存储器的片选端相连，一般是高地址部分的地址线。（或者不扩展时让芯片常有效）

！！！
地址重复时：地址高位对芯片的寻址无效时，即出现地址重复时，常选取其中既好用、又不冲突的一个“可用地址”，选取原则：高位全为0

（3）控制总线的连接

静态RAM存储子系统的控制信号主要有：

• 控制信号 $\overline{RD}$
• 写控制信号 $\overline{WR}$
• 以及存储器或 I/O 端口选择信号 $M/\overline{IO}$
  • $M/\overline{IO}$=1，选操作对象为存储器
  • $M/\overline{IO}$=0，选操作对象为I/O端口

可以将这些信号进行逻辑组合成不同的信号对芯片进行控制。

1.2.5 译码

• 门电路组合逻辑
• 采用集成译码芯片（常用）：
  • 常用的2:4译码器： 74LS139
  • 常用的3:8译码器： 74LS138
  • 常用的4:16译码器：74LS154

常用的译码方法：

• 全译码：所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址，包括：

  • 片内译码：低位地址线对芯片内各存储单元的译码寻址
  • 片选译码：高位地址线对存储芯片的译码寻址

  采用全译码，每个存储单元的地址都是唯一的，不存在地址重复
  译码电路可能比较复杂、连线也较多
  

• 部分译码：只有部分高位地址线参与对存储芯片的译码
  每个存储单元将对应多个地址（地址重复），需要选取一个可用地址
  可简化译码电路的设计，但系统的部分地址空间将被浪费
  

• 线选译码：只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中一个芯片（组）
  虽构成简单，但地址空间严重浪费
  必然会出现地址重复（一个存储单元对应多个存储地址）
  一个存储地址会对应多个存储单元
  多个存储单元共用的存储地址不应使用
  
  对一些存储芯片通过片选无效可关闭内部的输出驱动机制，起到降低功耗的作用

1.3 只读存储器 ROM（略）

典型 EEPROM 芯片有：AT24系列 AT24C04

EPROM 2716，EPROM 2764
EEPROM芯片2817A，EEPROM芯片2864A

1.4 高速缓冲存储器 Cache（略）

思路: 在引入高速缓冲存储器的系统中，内存由两级存储构成。一级是采用高速静态RAM芯片组成的小容量存储器，即Cache；另一级是用廉价的动态RAM芯片组成的大容量主存储器。
程序运行的所有信息存放在主存储器内，而高速缓冲存储器中存放的是当前使用最多的程序代码和数据，即主存中部分内容的副本。CPU访问存储器时，首先在Cache中寻找，若寻找成功，通常称为“命中”，则直接对Cache操作；若寻找失败，则对主存储器进行操作，并将有关内容置入Cache。
引入Cache是存储器速度与价格折衷的最佳方法。