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所在专栏 《深入理解Flash:闪存特性与实践》
1. 我想和你说
漠然回首，从事存储芯片行业已多年，这些年最宝贵的青春都献给了闪存，虽不说如数家珍，但也算专业。
我刚入行的时候，也是萌新一个，彷佛大学学的都没有和这相关的，一切都 Reset 归零了。这不怪大学，是整个国情如此，我们缺少半导体的摇篮。
在入职 Init 阶段，第一道关就是英文，说明书全英文的。作为一个英语考了 40 分的偏科生，这无疑是蜀道难，难于上青天。
第二道关就是活学活用了，协议多花时间读，总能读完， 协议字面意思看到了，理解透了嘛， 会用了吗？因为我学的时候， 在网上几乎很难找到 NAND 深入的资料。大多是一些入门简介千篇一律，食之无味，所以我入门闪存是领导手把手教的。后来的工作中，也踩了很多坑，每次填坑我对 NAND Flash 就多一层领悟，实践出真知。即便如今互联网知识渺如浩海，与数十篇博文中能见一二佳作。如果想通过自己搜集整理，来入门，犹如迷宫，一直会反复搜罗到“NAND Flash简介”的重复中。
英语四级备考的同学，有没有陷入日复一日的 “Abanbon Abanbon Abanbon ”
注：Abandon 是四级红宝书的第一个单词， 闪闪每次背单词就重复Abandon开始，一直到考试都没背完四级词典
为什么写专栏？
“少年，看你的骨骼惊奇，是万中无一的练武奇才，维护世界和平就靠你了，我这里有本秘籍《如来神掌》” 我看与你有缘！
看过周星驰电影《功夫》应该都熟悉这段台词。
写这个专栏的初衷便是，对于多年的所学进行总结复盘。曾经青丝飘逸，现今发际飘去，以此栏致敬我的青春。也希望它能带少年们入门存储的殿堂，走过我做走过的路，避开我填过的坑。
我吹过你吹过的风
这算不算相拥
我走过你走过的路
这算不算相逢这首听闻远方有你，送给新朋友们， 愿我们以文相识， 以文相知。
2. 闪存类别
我们先从下图看下闪存芯片分类吧， 从材质到产品五花八门，种类繁多， 怎么从众多门类中提取出共性与差异，对于我们入门闪存事半功倍。
本专栏专注于NAND Flash 的特性和实践。
3. 闪存学习路线
3.1 学习内容
作为入门开胃小菜， 存储介质历史。从文明诞生以来，人类就一直在寻求能够更有效存储信息的方式， 从4万年前的洞穴壁画、6000年前泥板上的楔形文字，到今天普及的SSD/闪存，再到对量子存储、DNA存储技术的探索，脚步从未停止。
NAND 闪存发明之所以伟大，是因为，有了这项颠覆性的发明，才有了我们现如今用的智能手机的高速大容量内存(eMMC、UFS)的顺滑体验，以及电脑固态硬盘（SSD）的流畅。NAND闪存这项发明已经彻底改变了我们的生活、工作和娱乐方式。
闪存介质分为NOR FALSH 和 NAND FALSH。Intel于1988年开发出NOR Flash 技术，改变了原先由EPROM(电可编程序只读存储器)一统天下的局面。1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构
在每个闪存芯片中都有海量的存储单元。闪存记录数据的关键在于浮栅层，当其中被充满电子时是已编程（写入）状态，代表二进制0；当其中没有电子时是已擦除状态，代表二进制1。通过施加特定的电压， 可以根据导通状态，知晓里面是否有电子。并可以通过储存电荷和释放电荷， 来实现写、读、擦工作原理。
3.2 学习侧重点：
了解
- 了解闪存历史
- 了解闪存产品
- 了解闪存工作原理
- 闪存失效模式分析
- 控制器基本知识
掌握
- 闪存组织架构
- 不同生产工艺闪存的特点：延迟、寿命、误码、读写方式
- 指令集， 不止会用到基本读写擦， 还要学会各种并行操作， 如：
- 顺序页之间 Cache Program/Read
- 多Plane 并行写、并行读
- 多CE interleave 并行写、并行读
- 多通道并行写、并行读
- 闪存特性以及应用管理机制
因为作者知识有限，如有遗漏或错误， 请大家给我留言，我会查缺补漏，持续完善。
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