NOR FLASH

目前常用的FLASH主要有NOR FLASH和NAND FLASH两种

NOR技术（也称Linear技术）源于传统的EEPROM器件，具有高可靠性、随机读取速度快的优势，用于擦除和编程操作较少、直接执行代码的场合，如PC的BIOS固件等。

NOR技术的Flash Memory具有以下特点。

1.程序和数据可存放在同一芯片，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，无须先将代码下载至RAM中再执行。

2.可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或整片擦除，由于采用NOR技术的Flash Memory擦除和编程速度较慢，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。

下面以S29GL128P为例说明，NOR FLASH的引脚定义和设计描述。

S29GL128P电路设计

查阅S29GL128P的Datasheet可知：

1.A25~A0是地址信号输入通道，需与CPU的存储专用地址总线相连

2.DQ15,DQ14~DQ0是数据信号，需要与CPU的存储数据总线相连

3.CE为片选信号

4.OE为输出使能信号

5.WE写使能

6.VCC电源输入引脚

7.VIO通用I/O口的供电引脚，接VCC电源输入端

8.VSS低信号引脚

9.NC为不连接的引脚

10.RY/BY为输出信号，当输出低电平时表示器件在进行写入或擦除工作，当输出高电平时表示器件已准备就绪。11.BYTE为输入信号，用于设置输入数据信号的宽度8bit或16bit

12.WP/ACC为写保护或编程加速控制，当为低电平时为写保护功能，当为高电平时为编程加速，在设计时一般都上拉处理。

13.RFU为保留引脚不连接。

NAND FLASH

采用NAND技术的Flash Memory的特点

1.NAND FLASH以页为单位进行读和编程操作，1页为256B或512B，因此NAND FLASH不用来直接运行程序，需将代码下载到RAM中再运行。NAND FLASH以块为单位进行擦除操作，1块为4KB、8KB或16KB；具有快编程和快擦除的功能，块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间是几百ms。

2.数据、地址采用同一总线，实现串行读取，随机读取速度慢且不能按字节随机编程。

3.芯片尺寸小，成本低4.芯片包含失效块，其最大数目可达到3~35块取决于存储器密度。失效块不会影响有效块的性能。设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。

从存储单元的角度考虑，NAND FLASH可分为SLC（Single Level Cell，单层单元）和MLC（Multi-Level Cell，多层单元）。SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大、成本低，但是速度慢。MLC由于存储单元中存放资料较多，结构相对复杂，出错的概率增加，必须进行错误修正，这个修正的动作使得MLC的性能大幅落后于SLC闪存。实际使用时，需要根据程序运行的机制及需求选择合适的Flash存储。

下面作者举例了K9F2G08U0C的引脚和电路设计