目录

1.3.1晶体管的结构与类型

1.3.2晶体管的电流放大作用

1.3.3晶体管的共射特性曲线

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        晶体三极管中有两种带有不同的极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管（BJT）Bipolar Junction Transistor

1.3.1晶体管的结构与类型

        晶体三极管拥有两个PN结

        分为NPN和PNP两种类型

符号

 

记忆方法，根据箭头指向，P-->N

b----基极

e----发射极

c----集电极

 NPN型结构

 

1.3.2晶体管的电流放大作用

共射放大电路工作在放大状态的条件：

        发射结正向偏置且集电结反向偏置

输入回路：基极---->发射极

输出回路：集电极--->发射极

晶体管的放大作用表现为：

        小的基极电流可以控制很大的集电极电流

晶体管内部载流子的运动

NPN型

        发射结加正向电压（即基极接正极，发射极接负极，此时PN结正向导通），扩散运动形成发射极电流

        因为发射区杂质浓度高，且为自由电子，此时自由电子进行扩散运动扩散到基区。

        同时空穴也从基区向发射区扩散，因为数量相对较少，可以忽略。

       

        扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流。，

        由于基区相对较薄，杂质浓度很低，发射极扩散过来的电子无法全部消耗完毕。剩余的部分会作为基区的非平衡少子到达集电极。

        集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流（此漂移电流是基区的非平衡少子在外电场的作用下，到达集电极形成的）。，

        同时集电区与基区的平衡少子也参与漂移运动，可以忽略。

        

        

晶体管的共射电流放大系数

         

        

1.3.3晶体管的共射特性曲线

输入特性曲线

由图可知，当 增大时，为了使 不变，需要增大 

原因分析：

        当增大时，外部电场增强，使得从基区流向集电区的非平衡少子增多，而基区的非平衡少子大多来自发射区。从而导致参与基区复合的电子减少，也会降低。只有增大，才可以留下更多的电子参与到基区的复合运动。

输出特性曲线

 截止区：且

        发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置；（发射结电压小于开启电压----基极电压不足以使的基极到发射极的PN结导通，集电结反向偏置----基极到集电极的PN结外加反向电压）

放大区：且

        发射结正偏，且集电结反向偏置；（发射结正偏----基极到发射结的PN结导通集电结反向偏置----集电极的电压大于基极电压，使得基极到集电极的PN结反向偏置）

饱和区：且

        发射结与集电结均处于正向偏置；（两个PN结均正向导通）