文章目录
- 前言
- 一、运算放大器的工艺决定Vos和Ib
- 二、TI放大器的命名规律
- 三、选型
- 总结
前言
一、运算放大器的工艺决定Vos和Ib
运放的设计工艺对其各种指标有非常重要的影响
常常有三种基本工艺:
Bipolar: 低输入阻抗,Ib=1-100nA:Vos=10-100uV,低至0.1uV/oC;低电压噪声,如1nV/√Hz
JFET: 高输入阻抗,Ib=10-100pA,但温漂大,每10摄氏度翻倍;Vos=0.1-5mV;
CMOS: 高输入阻抗;低失调;轨到轨输出能力;低功耗,Iq可低至700A
TI独有的领先工艺:
DiFET: 极高的输入阻抗,Ib低至3fA;低失调;极低的电流和电压噪声;最好的直流精度
这些工艺也可以结合:
BiFET: Bipolar+JFET:FET输入,Bipolar输出
BiCMOS: Bipolar+CMOS:常见于模数混合电路,如电源芯片
因此,对于我们这里描述的Vos和Ib来说,关心OPA输入级的工艺
二、TI放大器的命名规律
三、选型
实例
总结
提示:这里对文章进行总结:
例如:以上就是今天要讲的内容,本文仅仅简单介绍了pandas的使用,而pandas提供了大量能使我们快速便捷地处理数据的函数和方法。