常用的两种decap版图如下：

 图a

 图b

很多人认为decap电容就是source drain 衬底接地做下极板，poly gate接电源做上极板，这种认同是错误的。

我们先把MOS电容拆分成pmos和nmos去看。对于图a，poly没有接任何东西，pmos部分，poly gate与接VDD的active（source drain）的重叠部分形成电容，nmos部分poly gate与接VSS的active的重叠部分形成电容，所以对于一根poly来讲这是对地和对电源的两个电容的串联，然后多跟poly并联，形成更大容值的MOS电容（电阻并联阻值更低，电容并联容值更大）。

再来看图b，相比前一种，可以看作是一根poly gate拆成四根并联，这种poly接VSS/VDD的容值更大。