MT6705B 是用于反激式变换器的高性能45V 同步整流器。它兼容各种反激转换器类型。支持 DCM、CCM 和准谐振模式。MT6705B集成了一个40V功率MOSFET，可以取代肖特基二极管，提高效率。V SW <V TH-ON 时，内部 MOSFET 导通。V SW >V TH-OFF 时，内部 MOSFET 关闭。MT6705B集成自供电功能，不需要外接电源，支持高边整流与低边整流。集成智能开启检测功能，可有效防止DCM 中 V DS 振荡导致的 MOSFET 误判，提高系统效率和可靠性。
MT6705B特点
支持 DCM,CCM 和 QR Flyback 变换器
支持高边整流与低边整流
自供电,无需外接电源
集成 45V 功率 MOSFET
先进的整流开关技术
提供 VCC UVLO, VCC 钳位保护
提供 SOP-8 封装
应用
MT6705B 是5V2.4A同步整流器，它可以取代肖特基整流器，提高反激变换器的效率。支持运行在
DCM,CCM 和准谐振反激变换器。在关断期间可以通过内部 LDO 供电，在 VCC 和 GND 之间需要一个 100nF 的电容。
启动
在工作运行期间，当 VCC 低于启动电压时，内部 MOSFET 被关闭。电流流过体二极管，直到 VCC超过启动电压。
导通消隐时间
控制电路包含一个消隐功能。当内部 MOSFET从关断转换到导通后，至少会持续一段时间，持续时间约为 1.2uS。在导通消隐期间，关断阈值不是完全消隐，而是改变阈值电流。这确保了内部MOSFET 即使在消隐期间也能始终关闭。
欠压关断(UVLO)
当 VCC 低于 UVLO 阈值时，内部 MOSFET 关闭，在 VCC 超过启动电压之前不会打开。
导通
次边电流首先流过集成MOSFET的体二极管，产生负的 V SW 。当 V SW 低于-0.2V,即 V SW 低于 V TH-ON 时，开启集成 MOSFET。
关闭
MT6705B 检测内部 MOSFET 的 I SW 电流，在I SW 低于内部 MOSFET 关断阈值之后，在 30ns 延时后将开关的驱动电压降为零。
斜率检测
在 DCM 模式下工作时，由于漏感的激励，原边芯片关断时，会产生振荡。MT6705B 为防止由于误检振荡信号而导致同步整流器开路异常，采用了先进的整流器导通斜率检测技术。可以区分 V DS 的下降沿是处于导通前还是谐振中。
RC 吸收回路
在某些应用中,电感电流会进入 CCM 状态。为了避免同步整流器出现电压尖峰，我们建议在 SW和 GND 之间放置 RC 吸收回路。
PCB 布局
MT6705B PCB 布局应遵循以下规则:VCC 电容器: VCC 引脚必须放置电容,电容尽量接近vcc 引脚。
功率回路面积 : 主功率电流回路的面积应尽可能小，以减少电磁干扰的辐射，如缓冲回路和次边整流回路。SW 与 GND : 增加 SW 引脚了的铜面积，用于散热。同时，从热的角度考虑，SW 与 GND 的 PCB走线必须宽而短。然而，过大的铜面积可能会影响电磁干扰性能。
MT6705A: 适用于5V2A RDS:20mR;
MT6705B: 适用于5V2.4A RDS:13mR;
MT6705C: 适用于5V3.1A RDS:8.5mR;
