普通二极管是由N型半导体和P型半导体接触制成，交界面形成PN结。
肖特基二极管是由N型半导体和金属接触制成，交界面形成肖特基结。
肖特基结的形成主要是因为N型半导体中的电子更容易逸出进入到金属，从而在接触面N型半导体失去电子形成正离子区（电荷区），金属得到电子形成负离子区。
内部电场方向由N区指向金属。
当施加正向电压时，空间电荷区变窄，N型半导体的电子会穿过电荷区进入到金属，从而形成正向电流。
当施加反向电压时，空间电荷区变宽，电子无法通过空间电荷区，此时肖特基二极管处于截止状态。
因为肖特基二极管的空间电荷区（势垒高度）比普通二极管的窄，所以肖特基二极管正向导通压降比较小，比如SS14在1A电流导通压降为0.5V左右，而硅二极管1N4007在1A电流下导通压降在0.9V左右。
所以在一些低电压电源串接电路中我们更倾向于用肖特基二极管，以获得更小的导通压降和流过更大的电流。
肖特基二极管反向耐压一般在100V以下，相较于普通硅二极管耐压要低不少。
肖特基二极管的漏电流要比普通二极管的大很多，常温下普通二极管漏电流一般只有几微安，而肖特基二极管的反向漏电流在几百微安。高温环境中甚至能到几毫安。
肖特基二极管的反向恢复时间很小，一般在10ns以下，而普通二极管一般大于1uS。
所以肖特基二极管常用在一些高速开关的电路，比如开关电源的续流二极管就是用的肖特基二极管，如果用普通二极管，电路会工作异常。
