背景：

最近在调试一个DC-DC电路，16V/20A的芯片，功率算是中等偏上。

DCDC工作不正常，空载有输出，接负载后，电压马上掉落到大概2.3V，一开始以为是电感选取不对，瞬态响应不足，调了电感和工作频率，都不怎么有效。

下图是EN（紫色） 和输出（黄色）测量波形图，可以看到输出电压在一开始为正常的3.3V后，又掉落到2.3V左右。

下图为输入电压和输出电压的波形图：

从以上时序图当中，基本排除了输入电压与EN信号的影响，这两个信号都是正常的。

最后发现是当时的工程师，将原理图画错，自举电容应该在电感之前，画在了电感之后。

知识点：

这里重新学习一下DC-DC芯片的自举电容的功能原理。

如图是自举电容两端的电压，紫色为上端，靠近芯片BS端，黄色为下端，靠近电感端。

可以看到，随着上下MOS管的打开关闭，上端的最低电压为3.3V，是内部LDO的输出。下端在0V和V INV之间跳变。

我们结合下面这张图来看。就相当于即使PWM的输出，BS端的电压永远比LX端高3.3V，这个电压可以打开芯片内部的高边MOS管，即大于Vgs（th）。

DC-DC之所以使用N MOS管，是因为从性质上，就比P MOS的导通电阻小，压降小，发热量小，效率更高。所以在比较大功率的DCDC上，都会选择N MOS，简单一些功率小的芯片，会选择P MOS，因为设计简单。

自举电容的意义是，由于使用了N MOS管，高边MOS的V g必须要大于V s，但V s基本就是V IN的电压，比如5V，12V，原则上芯片内部没有再比这个V IN更高的电压了，所以需要一个电容，本着电容两端电压不能突变的原理，使得高边MOS能够正常打开。

 这是正常情况下的自举电容的电压。

如果将自举电容连接到电感后面，会由于输出是一个稳定的值，使得这个电容无法通过瞬间充电，达到开启高边MOS的作用。

异常时的电感端波形。