常见的单端(线)阻抗计算模式:
Surface Microstrip 1B
在下图(表面,或暴露,微带)信号线暴露(空气)和参考电源或接地平面。根据电介质相对于迹的排列(在迹的下方或上方)对结构进行分类。下图显示了在信号轨迹(指定为1B)以下使用单一介电层的表面微带结构
适用范围:外层阻焊前阻抗计算
参数说明:
H1:外层到 VCC/GND 间的介质厚度
W2:阻抗线线面宽度
W1: 阻抗线线底宽度
Er1: 介质层介电常数
T1:线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2
Surface Microstrip 2B
下图显示了表面微带结构使用两个介电层以下的轨迹(指定2B)。
Embedded Microstrip 1B1A
适用范围:与外层相邻的第二个线路层阻抗计算
例如一个 6 层板,L1、L2 均为线路层,L3 为 GND或 VCC 层,则 L2 层的阻抗用此方式计算.
参数说明:
H1:线路层到相邻 VCC/GND 间介质厚度
H2:外层到第二个线路层间的介质厚度+第二个线路层铜厚
W2:阻抗线线面宽度
W1:阻抗线线底宽度
T1:阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层到相邻 VCC/GND 间介质)
Er2:介质层介电常数(外层到第二个线路层间)
Coated Microstrip 1B
适用范围:外层阻焊后阻抗计算
参数说明:
H1:外层到 VCC/GND 间的介质厚度
W2:阻抗线线面宽度
W1: 阻抗线线底宽度
Er1:介质层介电常数
T1:线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2
CEr:阻焊介电常数C1: 基材阻焊厚度C2: 线面阻焊厚度
Coated Microstrip 2B
阻抗计算模式同上,仅多一介质层(比如一个 4 层板,L1 层需做阻抗控制,L2 层为线路层,L3 层为 GND/VCC 参考层)。
Offset Stripline 1B1A
常见的差分(动)阻抗计算模式:
Edge-Coupled Surface Microstrip 1B
适用范围:外层阻焊前差动阻抗计算
参数说明:
H1:外层到 VCC/GND 间的介质厚度
W2:阻抗线线面宽度
W1: 阻抗线线底宽度
S1:差动阻抗线间隙
Er1: 介质层介电常数
T1:线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2
Edge-Coupled Coated Microstrip 1B
适用范围:外层阻焊后差动阻抗计算
参数说明:
H1:外层到 VCC/GND 间的介质厚度
W2:阻抗线线面宽度
W1: 阻抗线线底宽度
S1:差动阻抗线间隙
Er1: 介质层介电常数
T1:线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2
CEr: 阻焊介电常数
C1: 基材阻焊厚度
C2:线面阻焊厚度
C3:差动阻抗线间阻焊厚度
Edge-Coupled Embedded Microstrip 1B1A
适用范围:与外层相邻的第二个线路层差动阻抗
计算
例如一个 6 层板,L1、L2 均为线路层,L3为 GND 或 VCC 层,则 L2 层的阻抗用此方式计算.
参数说明:
H1:线路层到相邻 VCC/GND 间介质厚度
H2:外层到第二个线路层间的介质厚度+第二个线路层铜厚
W2:阻抗线线面宽度
W1: 阻抗线线底宽度
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1: 介质层介电常数(线路层到相邻 VCC/GND间介质)
Er2: 介质层介电常数(外层到第二个线路层间介质)
S1:差动阻抗线间隙
Edge-Coupled Embedded Microstrip 1B1A1R
Edge-Coupled Offset Stripline 1B1A
适用范围:两个 VCC/GND 夹一个线路层之阻抗计算
参数说明:
H1:线路层到较近之 VCC/GND 间距离
H2:线路层到较远之 VCC/GND 间距离+阻抗线路层铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层到相邻 VCC/GND 间介质)
Er2:介质层介电常数(线路层到较远 VCC/GND 间介质)
W2:阻抗线线面宽度
W1: 阻抗线线底宽度
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
S1:差动阻抗线间隙
Edge-Coupled Offset Stripline 2B1A1R
Broadside-Coupled Stripline 2S
Broadside-Coupled Stripline 3S
Surface Coplanar Strips 1B
Surface Coplanar Strips With Ground 1B
Surface Coplanar Strips With Ground 2B