编辑-Z

ASEMI高压MOS管60R380参数：

型号：60R380

漏极-源极电压（VDS）：600V

栅源电压（VGS）：20V

漏极电流（ID）：11A

功耗（PD）：65W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω

二极管正向电压（VSD）：1.5V

输入电容（Ciss）：760pF

二极管反向恢复时间（trr）：270nS

 

60R380封装尺寸：

封装：TO-252-2L

总长度：10.35mm

本体长度：6.25mm

宽度：6.75mm

高度：2.4mm

脚间距：2.34mm

 

60R380特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=34nC（典型值）。

BVDSS=600V，ID=11A

RDS（开）:0.3 8Ω （最大值）@VG=10V

100%雪崩测试