编辑-Z

ASEMI低压MOS管50N06S参数：

型号：50N06S

漏极-源极电压（VDS）：60V

栅源电压（VGS）：25V

漏极电流（ID）：50A

功耗（PD）：85W

储存温度（Tstg）：-55 to 175℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ

二极管正向电压（VSD）：1.2V

输入电容（Ciss）：2050pF

二极管反向恢复时间（trr）：28nS

 

50N06S封装尺寸：

封装：TO-252

总长度：10.35mm

本体长度：6.25mm

宽度：6.75mm

高度：2.4mm

脚间距：2.34mm

 

50N06S特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=nC（典型值）。

BVDSS=60V，ID=50A

RDS（开）:0.015Ω （最大值）@VG=10V

100%雪崩测试