电子技术——内部电容效应以及MOS与BJT的高频响应模型

news2024/12/25 14:52:33

电子技术——内部电容效应以及MOS与BJT的高频响应模型

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耦合和旁路电容决定了放大器的低频响应,同时内部电容效应决定了放大器的高频响应。本节,我们简单简单介绍一下内部电容效应,并且更重要的是如何在小信号模型中模型化内部电容效应。

MOSFET

在我们之前学习MOSFET的时候,我们就已经知道MOS中存在内部电容。实际上,我们已经在使用栅极和沟道之间的内部电容,即场效应。之前,我们假设MOS中的电容都是稳态的,也就是我们忽略了电容的充电和放电时间。结果就是我们并没有考虑电容的任何频率效应。实际上,MOSFET放大器在高频的时候增益会有所减小。同样的,在之后数字电路的章节,我们会学习MOS数字逻辑反相器会显示出有限的传播延迟。为了考虑这些情况,我们必须把内部电容考虑进去。这就是本节我们要讨论的。

为了说明产生内部电容的物理原因,我们使用下面的图片:

物理原因
上图是一个N沟道的MOSFET,并且处于饱和区。如图,存在四个电容。其中两个 C g s C_{gs} Cgs C g d C_{gd} Cgd 通过栅极电容效应形成,另外两个 C s b C_{sb} Csb C d b C_{db} Cdb 是pn结的耗散区电容。

之前我们介绍过栅极电容,其中的硅氧化物层充当电介质,金属极板和沟道形成一个平行板电容器,每单位面积的容值记为 C o x C_{ox} Cox 。当MOS处于饱和区的时候,我们知道总容值是 2 3 W L C o x \frac{2}{3} WL C_{ox} 32WLCox 。除此之外,因为极板与源极区和栅极区分别有一个小的重叠面积,重叠长度为 L o v L_{ov} Lov ,则重叠部分的电容为:

C o v = W L o v C o x C_{ov} = WL_{ov} C_{ox} Cov=WLovCox

一般的, L o v = 0.05 L ∼ 0.1 L L_{ov} = 0.05L \sim 0.1L Lov=0.05L0.1L 。现在我们能表示出栅极到源极直接的电容为:

C g s = 2 3 W L C o x + C o v C_{gs} = \frac{2}{3} WLC_{ox} + C_{ov} Cgs=32WLCox+Cov

对于栅极到漏极之间的电容,我们注意到沟道被截断,所以电容只由重叠部分组成:

C g d = C o v C_{gd} = C_{ov} Cgd=Cov

对于耗散层的电容,可以使用我们之前推导的反向偏置pn结中的电容表达式:

C s b = C s b 0 1 + V S B V 0 C_{sb} = \frac{C_{sb0}}{\sqrt{1 + \frac{V_{SB}}{V_0}}} Csb=1+V0VSB Csb0

其中 C s b 0 C_{sb0} Csb0 是在体极和源极之间无偏置时候的电容值, V S B V_{SB} VSB 是反向偏置电压的大小, V 0 V_0 V0 是pn结内建电压(0.6V 到 0.8V),同样的对于体极和漏极之间的电容:

C d b = C d b 0 1 + V D B V 0 C_{db} = \frac{C_{db0}}{\sqrt{1 + \frac{V_{DB}}{V_0}}} Cdb=1+V0VDB Cdb0

我们发现,对于两个电容的过度系数均为 m = 1 / 2 m = 1/2 m=1/2

值得注意的是,每一个结电容都是由耗散区的底部和周围的三个面(第四个面向沟道)分别贡献而成。上述表达式都是建立在小信号模型的表达式上。

MOSFET的高频模型

下图展示了MOSFET的高频模型,其中包括我们介绍的四个电容:

高频模型
这个模型可以用来计算MOS放大器的高频响应,然而这个模型实在是太复杂了,不管是对于手动分析还是计算机仿真分析来说。幸运的是,如果体极和源极是相连的,我们的模型可以大大简化:

简化模型

在这个模型中, C g d C_{gd} Cgd 尽管很小,但是对于决定高频响应有至关重要的作用,不能忽略。但是电容 C d b C_{db} Cdb 在高频响应分析中基本可以忽略,忽略之后的模型如下:

简化模型
最后对应的T模型为:

T模型

MOS的单位增益频率

对于MOS放大器来说,有一个重要的参数就是单位增益频率 f T f_T fT ,也称为 过度频率 。定义为CS放大器配置时的短路电流是单位电流增益时候的频率。下图展示了一个CS放大器的混合 π \pi π 模型。为了决定短路电流增益,我们在输入端放入测试电流源 I i I_i Ii ,并且短路输出端:

短路输出端
通过简单的计算得出,输出电流为:

I o = g m V g s − s C g d V g s I_o = g_mV_{gs} - sC_{gd}V_{gs} Io=gmVgssCgdVgs

回想一下 C g d C_{gd} Cgd 非常小,我们可以忽略第二项:

I o ≃ g m V g s I_o \simeq g_m V_{gs} IogmVgs

我们可以导出 V g s V_{gs} Vgs

V g s = I i s ( C g s + C g d ) V_{gs} = \frac{I_i}{s(C_{gs} + C_{gd})} Vgs=s(Cgs+Cgd)Ii

则电流比为:

I o I i = g m s ( C g s + C g d ) \frac{I_o}{I_i} = \frac{g_m}{s(C_{gs} + C_{gd})} IiIo=s(Cgs+Cgd)gm

带入物理频率 s = j ω s = j \omega s= 得到:

∣ I o I i ∣ = g m ω ( C g s + C g d ) |\frac{I_o}{I_i}| = \frac{g_m}{\omega(C_{gs} + C_{gd})} IiIo=ω(Cgs+Cgd)gm

则单位增益时候的频率是在:

ω T = g m / ( C g s + C g d ) \omega_T = g_m / (C_{gs} + C_{gd}) ωT=gm/(Cgs+Cgd)

或是:

f T = g m 2 π ( C g s + C g d ) f_T = \frac{g_m}{2\pi (C_{gs} + C_{gd})} fT=2π(Cgs+Cgd)gm

因为 f T f_T fT 正比于 g m g_m gm ,并且 g m g_m gm 决定了中频带的增益。反比与 ( C g s + C g d ) (C_{gs} + C_{gd}) (Cgs+Cgd) 限制了放大器的带宽, f T f_T fT 的值越大,MOS的频率效率就越好。

一般的, f T f_T fT 对于旧技术(5um COMS)来说在100MHz,对于高速新技术(0.13um COMS)在几GHz。

总结

总结

BJT

与MOS同样的,BJT也存在内部电容效应。

基极充电或扩散电容 C d e C_{de} Cde

当BJT工作在主动模式下,次载流子充满基极区域。对于npn晶体管,基极区域充满了电子,我们记电荷量 Q n Q_n Qn 可以表示为:

Q n = τ F i C Q_n = \tau_F i_C Qn=τFiC

其中 i C i_C iC 是集电极电流, τ F \tau_F τF 是器件的时间常数,具有时间量纲,被称为 前向基极-过渡时间 ,表示一个次载流子(电子)通过基极区域的平均时间。一般情况下,在 10ps 到 100ps。

上式是一个大信号模型,因为 i C i_C iC v B E v_{BE} vBE 呈现指数关系,同时 Q n Q_n Qn 也同样依赖于 v B E v_{BE} vBE 。对于小信号模型,我们定义 小信号扩散电容

C d e ≡ d Q n d v B E = τ F d i C d v B E = τ F g m = τ F I C V T C_{de} \equiv \frac{d Q_n}{d v_{BE}} = \tau_F \frac{d i_C}{d v_{BE}} = \tau_F g_m = \tau_F \frac{I_C}{V_T} CdedvBEdQn=τFdvBEdiC=τFgm=τFVTIC

这里 I C I_C IC 是集电极偏置电流。因此当 v b e v_{be} vbe 改变 v B E v_{BE} vBE 的时候,发射极电流增加 g m v b e g_m v_{be} gmvbe 因此电荷量增加 τ F g m v b e \tau_F g_m v_{be} τFgmvbe 多出来的电荷由基极电流提供。

基极-发射极结电容 C j e C_{je} Cje

在BJT的主动模式下,基极和发射极直接存在电容 C j e C_{je} Cje ,我们知道,正向偏置的pn的电容为:

C j e ≃ 2 C j e 0 C_{je} \simeq 2C_{je0} Cje2Cje0

这里 C j e 0 C_{je0} Cje0 是零偏置下的电容。

集电极-基极结电容 C μ C_\mu Cμ

在在BJT的主动模式下,集电极-基极是一个反向偏置的pn结,我们称其为 耗散电容 ,其值为:

C μ = C μ 0 ( 1 + V C B V 0 c ) m C_\mu = \frac{C_{\mu0}}{(1 + \frac{V_{CB}}{V_{0c}})^m} Cμ=(1+V0cVCB)mCμ0

这里 C μ 0 C_{\mu0} Cμ0 是无偏置下的电容。 V C B V_{CB} VCB 是反向电压, V 0 c V_{0c} V0c 是内建电压(0.75V), m m m 是过渡系数(0.2-0.5)。

高频模型

下图展示了BJT的混合 π \pi π 和T模型下的高频模型。

混合pi模型
T模型
在图中,分别有两个电容,一个是发射极到基极的电容:

C π = C d e + C j e C_\pi = C_{de} + C_{je} Cπ=Cde+Cje

另一个是集电极到基极的电容 C μ C_\mu Cμ 。除此之外,我们还添加了基极的固有电阻 r x r_x rx 在外部基极B和内部基极B‘之间,因为 r x ≪ r π r_x \ll r_\pi rxrπ 因此在低频模型下,我们可以忽略,但是在高频模型下,这个电阻是通过电流的并且和电容相互作用,就无法忽略。

BJT的单位增益频率

在datasheet中通常不直接给出 C π C_\pi Cπ 而是给出 β \beta β 与频率之间的关系。为了决定 C π C_\pi Cπ C μ C_\mu Cμ 我们需要导出与 β \beta β 之间的关系。我们使用下面的CE短路电流:

模型
在节点C的电流为:

I c = ( g m − s C μ ) V π I_c = (g_m -sC_\mu)V_\pi Ic=(gmsCμ)Vπ

这里 V π V_\pi Vπ I b I_b Ib 的关系为:

V π = I b ( r π ∣ ∣ C π ∣ ∣ C μ ) V_\pi = I_b(r_\pi||C_\pi||C_\mu) Vπ=Ib(rπ∣∣Cπ∣∣Cμ)

则电流比为:

h f e = I c I b = g m − s C μ 1 / r π + s ( C π + C μ ) h_{fe} = \frac{I_c}{I_b} = \frac{g_m - sC_\mu}{1/r_\pi + s(C_\pi + C_\mu)} hfe=IbIc=1/rπ+s(Cπ+Cμ)gmsCμ

在一定的频率下, ω C μ ≪ g m \omega C_\mu \ll g_m ωCμgm 因此:

h f e ≃ g m r π 1 + s ( C π + C μ ) r π = β 0 1 + s ( C π + C μ ) r π h_{fe} \simeq \frac{g_m r_\pi}{1 + s(C_\pi + C_\mu)r_\pi} = \frac{\beta_0}{1 + s(C_\pi + C_\mu)r_\pi} hfe1+s(Cπ+Cμ)rπgmrπ=1+s(Cπ+Cμ)rπβ0

这里的 β 0 \beta_0 β0 为低频下的 β \beta β 并且 h f e h_{fe} hfe 存在一个单极点频率,此时为 3 d B 3dB 3dB 响应:

ω β = 1 ( C π + C μ ) r π \omega_\beta = \frac{1}{(C_\pi +C_\mu)r_\pi} ωβ=(Cπ+Cμ)rπ1

下图展示了该电路的高频响应:

高频响应
存在单位增益频率 ω T \omega_T ωT

ω T = β 0 ω β = g m C π + C μ \omega_T = \beta_0 \omega_\beta = \frac{g_m}{C_\pi + C_\mu} ωT=β0ωβ=Cπ+Cμgm

f T = g m 2 π ( C π + C μ ) f_T = \frac{g_m}{2\pi(C_\pi + C_\mu)} fT=2π(Cπ+Cμ)gm

这个形式和MOS的一致。

通常在datasheet中给出 f T f_T fT ,而 f T f_T fT 是一个关于偏置电流的参数:

单位增益
我们发现,在较低的偏置电流下,单位增益频率也较低。但是随着偏置电流继续加大,单位增益频率却降低了,此时不能使用上述表达式解释其原因,主要原因在 β 0 \beta_0 β0 在大电流的情况下会下降。在 f T f_T fT 的常数区域, C π C_\pi Cπ 主要由扩散部分组成且远大于 C μ C_\mu Cμ 因此 C π + C μ ≃ C d e = τ F g m C_\pi + C_\mu \simeq C_{de} = \tau_Fg_m Cπ+CμCde=τFgm

f T = 1 2 π τ F f_T = \frac{1}{2 \pi \tau_F} fT=2πτF1

一般情况下, f T f_T fT 在 100MHz到几十GHz。

关于高频模型,当频率处于 5 ∼ 10 f β 5 \sim 10 f_\beta 510fβ 的时候,我们可以忽略 r π r_\pi rπ 此时的阻抗由 r x r_x rx 决定。因此在高频模型下 r x r_x rx 具有关键作用。

在结束本节之前,我们应该注意到在高频模型下,BJT能够精准的工作直到 0.2 f T 0.2f_T 0.2fT 。若想获得更大的 f T f_T fT 需要往BJT模型中加入更多的寄生元件。

总结

BJT

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