【STM32笔记】晶振及旁路电容设计避坑（低功耗低速外部晶振LSE无法起振的可能原因）
晶振无法起振 无非就是旁路电容设计的有问题
一般旁路电容选10pF 12pF 20pF等等 都没啥问题 尤其是高速晶振 基本不会出问题
但是对于低速晶振 电容没选对 就很可能不起振
对于STM32L4系列 有个寄存器LSEDRV 起能配置驱动晶振的能力
负载驱动能力高 功耗越大 发热越严重 也越容易烧晶振
所以尽量选择默认值00来配置LSEDRV寄存器
驱动能力最大值为0.5uA/V
在条件允许的范围内 可以通过改变旁路电容的值来匹配电容 从而使电容起振
当然 如果不考虑功耗 则可以增加驱动能力
负载电容CL
负载电容CL是指连接到晶振上的终端电容。CL值取决于外部电容器CL1和CL2，刷电路板上的杂
散电容(Cs)。CL值由由晶振制造商给出。保证振荡频率精度，主要取决于振荡电路的负载电容与
给定的电容值相同，保证振荡频率稳定度主要取决于负载电容保持不变。外部电容器CL1和CL2
可用来调整CL，使之达到晶振制造商的标定值。
CL的表达式如下：
振荡器的增益裕量
增益裕量是最重要的参数，它决定振荡器是否能够正常起振，其表达式如下：
对于晶振和旁路电容 其gmcrit值计算如下：
ESR是指晶振的等效串联电阻。
其中 Rm由晶振本身决定
计算后 若是其小于最大驱动能力值 则可以正常驱动
