半导体二极管本质上就是一个PN结，具有单向导电性。

二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。

二极管按照可PN接触形式分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类，如下图所示：

点接触型管子（一般为锗管）中不允许通过较大的电流，因结电容小，可用在检波和变频等高频电路以及小功率电路中，也用作数字电路中的开关元件。如国产的2AP型、2AK型，国外产的1N4001等 。
面接触型二极管（一般为硅管） PN 结的面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作，可用作工频大电流整流电路。如国产的2CZ型、2CP型，国外产的1N4678等 。
平面型二极管一般用于集成电路制造工艺中。它的PN结面积可大可小,可用在高频整流和开关电路中。

有些二极管还分为P型二极管和N型二极管，但是并不是指只有P型半导体或者N型半导体，而是以谁为基底（一般就是占的面积比较大的那一端）命名。

常见的二极管有金属、塑料和玻璃三种封装形式。按照应用的不同，二极管分为整流、检
波、开关、稳压、发光、光电、快恢复和变容二极管等。根据使用的不同，二极管的外形各异，下图所示为几种常见的二极管外形

一、符号

阳极：P端接电源正极

阴极：N端接电源负极

从阳极到阴极就是产生正向电压的方向。

二、 伏安特性

二极管的伏安特性：二极管两端的电压u及其流过二极管的电流i之间的关系曲线。

1、正向特性

正向特性：二极管外加正向电压时，电流和电压的关系。

如下图所示，当二极管所加正向电压比较小时（$0<u<U_{th}$），二极管上流经的电流为0，管子仍截止，称为正向截止，此区域称为死区，$U_{th}$称为死区电压（门坎电压）。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。

导通电压：Si:0.6~ 0.8V；Ge:0.2~0.3V

到了导通电压，二极管才能正常通电。至于为什么会有截止电压，是因为克服内电场的需要。

2、反向特性

反向特性：二极管外加反向电压时，电流和电压的关系。

由上图可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（Si管10-15~10-10A，Ge管
10-10~10-7A），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流$I_S$。

3、反向击穿特性

从上图可见，当反向电压的值增大到$U_{BR}$时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿， $U_{BR}$为反向击穿电压。

利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。

二、二极管的主要参数

1、最大整流电流$I_F$

最大整流电流$I_F$是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。

2、反向击穿电压$U_{BR}$

反向击穿电压是指二极管击穿时的电压值。

3、反向饱和电流$I_S$

它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值越小，说明二极管的单向导电性越好。

毕竟我们需要的是半导体的单向导通性能，而不是两个方向都可以导通，所以反向电流最好是小一点性能好。

4、最高工作频率$f_m$

决定于极间电容，当工作频率>$f_m$，二极管的单向导电性降低。？

电容是具有隔直通交的性能，频率越高，交流电越能通过。

5、极间电容$C_d$

四、二极管的测试

1、二极管极性的判定

（1）目测判别极性

（2）用万用表检测二极管

a. 用指针式万用表检测

原理：由于二极管单向导通性能，那从P到N的电阻很小，从N到P的电阻就会很大。

红表笔是(表内电源)负极，黑表笔是(表内电源)正极。

测量方法：正反向电阻在 R×20K或 R×200 k 挡测量各测量一次，测量时手不要接触引脚。如果测出来某个方向的电阻很小，那就是正向电阻，黑表笔接的那一端就是P端，红表笔N端。

一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻为几百千欧。正反向电阻相差不大为劣质管。

b. 用数字式万用表检测

在 挡进行测量，当 PN 结完好且正偏时，显示值为PN 结两端的正向压降 (V)。反偏时，显示.OL 。

2、二极管好坏的判定

（1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。

（2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。

（3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。

我国半导体器件的命名方式