注意了，信号发生器的不同通路不能并联使用，示波器的信号通路不能并联电源使用，不同信号发生器不能并联使用：
严禁多个电容共用过孔：
多个电容并联时，小容量的电容应更靠近芯片电源引脚，主要原因是为了优化电源去耦性能和滤波效果。具体原因如下：
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高频特性更好：小容量电容（如0.1µF或0.01µF）的高频特性比大容量电容（如10µF或100µF）更好，具有较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），因此能够更有效地滤除高频噪声。将其放在靠近芯片电源引脚的位置，能够更好地抑制由于芯片切换电流引起的高频噪声。
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降低寄生电感的说法我觉得很有道理，因为小电容的高频特性比大电容特性更好，并且具有更低的ESL和ESR,因此通常用于专门滤高频的杂波，在高速高频电路中，寄生电感对滤波效果的影响就变得很重要，放在靠近芯片的地方，可以降低环路面积，因此可以降低寄生电感，所以滤高频的时候更好：
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降低寄生电感：电容越靠近芯片引脚，寄生电感越小，滤波效果越好。对于高频噪声，寄生电感的影响更显著，因此需要将小容量电容放置在距离芯片电源引脚最近的位置，以便最大程度地降低寄生电感，提升去耦效果。
- 大电容重在于滤除低频的大幅度振动，平滑波形：
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大容量电容提供稳定电源：大容量电容主要用于提供稳定的直流电源和平滑低频波动，它们的主要作用是在较长时间尺度上维持电源电压的稳定。因此，大容量电容放置在稍远的位置可以提供整体电源的稳定性，而小容量电容则负责处理高频干扰。
电容器在谐振点的特性主要体现在其阻抗和行为上。具体来说，电容器在谐振点的特性与其等效电路模型相关。
电容在低频主要表现为容性。
电容在高频时表现为电感特性。
在谐振频率左边，电容主要呈容性，在谐振频率右边，电容主要呈感性。
可以看到电容的谐振频率通常都是以M计算的，所以一般的板子不用考虑电容的谐振频率：
在频率很低的时候，可以看到，感抗远小于容抗，并且复阻抗的相位为负值，说明电流超前电压，这是典型的电容充电特性，所以说，电容在低频主要表现为容性。
而在高频的时候，感抗远大于容抗，复阻抗的相位为正值，说明电压超前电流，是典型的电感施加电压时的行为特征，所以说，电容在高频时表现为电感特性。
而在谐振时，容抗和感抗相抵为0，此时电容的总阻抗最小，复阻抗相位为0，表现为纯电阻特性，这个点就是电容的自谐振频率。在谐振频率左边，电容主要呈容性，在谐振频率右边，电容主要呈感性。
电容器的等效电路模型
电容器不仅仅表现为一个理想的电容，它还包含一些寄生元素：
- 等效串联电阻（ESR）：反映了电容器中的损耗。
- 等效串联电感（ESL）：这是由于电容器引脚和内部结构的电感效应。
- 电容值（C）：这是电容器的标称电容量。
谐振点
谐振点是指电容器的等效电感（ESL）和电容值（C）产生的电抗相等时的频率。该点的频率称为谐振频率（frf_rfr），其计算公式为：
fr=12πLCf_r = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}fr=2πLC1
其中，LLL 是等效串联电感，CCC 是电容值。
在谐振点的特性
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阻抗最小：在谐振点，电容器的阻抗达到最小值，仅由ESR决定。此时，电容器既不像一个电容，也不像一个电感，而表现为一个接近纯电阻的器件。
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电感性行为：在谐振频率以下，电容器主要表现为电容性行为（阻抗随频率增高而降低）。在谐振频率以上，电容器开始表现为电感性行为（阻抗随频率增高而增高）。因此，在谐振频率以上，电容器实际上起到了一个小电感的作用。
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能量传递：在谐振频率下，电容器中的能量在电感和电容之间不断转换，导致阻抗最小，并且如果电容器用于滤波或谐振电路中，它可以有效地传递特定频率的信号。
实际应用
在射频（RF）和高速电路中，这种谐振特性尤为重要。设计人员需要仔细选择电容器，以确保其谐振点不影响电路的正常工作，或者在某些情况下利用谐振点的特性来设计滤波器和谐振器。
