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这篇文章总结一下最近在研究的反激电源RCD吸收回路和VDS尖峰问题。这也是为什么MOS管在开机容易被电压应力击穿的原因。

下图是反激电源变压器部分的拓扑。

在MOS开通时，VDS上电压：

由于Rdson比较小，MOS开通时，VDS电压也较小。此时，MOS漏极电压应力较小。

然而，MOS关断时，此时漏极会承受较大电压应力，因此会在变压器初级绕组上增加RCD吸收电路，用来吸收较大尖峰电压，防止MOS因电压应力出现雪崩击穿。

于是，在电路中经常看到这种方案。当然还有多种类型变种，如使用TVS或者稳压管，无论是哪种方案类型，本质都是吸收MOSFET关断时尖峰电压。

尖峰产生原因主要来自变压器漏感，而漏感来源有两种途径：

（1）来源于变压器本体，在骨架上绕线时，绕线疏密程度，分层绕组还是多组并绕制，这些不同的绕制方式，漏感均存在差异；如下图中红色和蓝色绕线。