NAND闪存原厂铠侠Kioxia拟趁着半导体市场回暖及企业财务状况显著提升的契机，加速推进其上市进程。
据报道，公司计划最快于8月底提交IPO申请，目标是在2024年10月末于东京证券交易所完成首次公开募股。此番上市动作不仅反映出市场复苏迹象，还体现了大股东贝恩资本意欲借此机会减持股份、回收资金的策略。
Kioxia原定2020年的上市计划因外部经济环境与行业挑战而搁置，当前重启IPO的决定，或预示着市场对其业务展望的信心增强。近期财报显示，Kioxia在今年第一季度扭亏为盈，实现103亿日元的净利，终结了连续六个季度的亏损状态。这主要归功于整个NAND行业减产调控带来的价格回升，以及市场需求特别是智能手机、个人电脑及数据中心领域订单的复苏。
从技术发展趋势看，Kioxia对未来寄予厚望，着重提及了几个关键驱动因素：一是设备端人工智能（On-Device AI）的普及，这将直接提升对高性能存储的需求；
二是存储容量的持续增长需求，特别是在移动设备和PC领域；
三是预期中的PC操作系统升级，可能激发大规模的硬件更新换代需求。
这些因素综合预示着存储市场的强劲需求潜力，也为Kioxia的IPO估值及后续市场表现提供了乐观的前景支撑。
尽管如此，Kioxia的IPO规模及估值可能较2020年规划时有所下调，反映出市场对于未来不确定性仍保持审慎态度。整体而言，Kioxia的IPO动向不仅是企业融资战略的体现，也是观察全球半导体行业，尤其是存储细分市场复苏态势的一个重要窗口。
此外，在存储行业复苏之际，铠侠（Kioxia）结束了生产削减，并于上周公布了其3D NAND技术路线图的雄心壮志。据PC Watch和Blocks & Files报道，铠侠表示，到2027年实现1000层的NAND技术是可行的。
过去几年间，3D NAND的层数从2014年的24层增长至2022年的238层，八年时间内实现了十倍的增长。铠侠预计，若保持每年约1.33倍的增速，到2027年达到1000层将是可达成的目标。这一速度超过了三星的公开计划——三星虽也提出了超过1000层NAND芯片的目标，但时间框架设定在了2030年，且计划通过采用新型铁电材料来实现这一技术突破。
