预计到2024年6月，完整的射频氮化镓产品组合将完成整合

总部位于美国的Guerrilla RF (GUER)已完成对镓半导体公司GaN功率放大器和前端模块的全部收购。

自2024年4月26日起，GUER收购了Gallium Semiconductor先前发布的所有组件以及正在开发的新内核。此外，作为此次投资组合收购的一部分，所有相关知识产权（IP）已转让给GUER。

通过整合这些资产，该公司打算显著加强其正在进行的开发和商业化专为无线基础设施、军事和卫星通信应用而定制的新型GaN器件的努力。

GUER首席执行官兼创始人瑞安·普拉特评论道：“随着公司继续发展成为射频集成电路和微波集成电路供应商，将氮化镓技术整合到我们不断扩大的产品组合中势在必行。氮化镓代表着朝着为目标市场提供全面信号链的关键进步。在此次收购之前，Guerrilla RF已经将氮化镓器件开发作为其有机增长战略的一部分。收购镓半导体公司的产品组合大大加快了这一战略举措。我们预计此次交易将在近期和长期内产生有利的利润，并产生有意义的收入。”

镓半导体公司首席执行官亨克·图恩表示：“将这些新产品合并到Guerrilla RF的产品组合中预计将快速无缝。两家公司都有共同的GaN和GaAs产品代工厂合作伙伴，并瞄准类似的应用和细分市场。Guerrilla RF将继承各种已发布和抽样产品，包括简单的、无与伦比的晶体管，以完全集成的不对称Doherty PA。这些产品的额定峰值功率水平从5W到400W不等，与Guerrilla RF现有的InGaP HBT和GaAs pHEMT放大器产品组合相辅相成，这些产品适用于2W及以下的功率水平。”

GUER已经开始积极将这些新组件集成到其订购系统中，预计到2024年6月将实现全部产品组合的集成。

镓半导体公司宣布关闭，包括今年早些时候在荷兰奈梅亨的研发中心。这是由其投资者和母公司GaasLabs LLC在创始人约翰·奥坎波于2023年11月去世后决定的。

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