选择MCU时需要考虑以下几个方面：1。首先考虑引脚功能数量是否够用2.其次如果跑RTOS操作系统的话对堆栈有要求3.需要考虑单片机某个功能的极限性能，例如做BLDC驱动板子的时候要求对电机的电流做到精确采样，此时会选用这个方向表现较好的MCU,例如智能车竞赛时候使用的无刷主控芯片自身带运放和MOS.4.需要考虑MCU的成本，生态，库等问题。5.低功耗场景需要单独考虑，选用合宙等企业的专用低功耗MCU

高速布线时候考虑的问题：1.首先要做阻抗匹配2.其次要根据高速器件的专用规则进行隔离或布局3.USB,HDMI等的差分走线4.包地处理4.层叠的合适选择4.电源层内缩20H，3W原则

过孔带有2个寄生参数。寄生电容跟寄生电感。寄生电容会影响信号的上升时间，寄生电感会影响电路电容的滤波效果。对于高频信号打孔的坏处在于阻抗不匹配。所以在pcb布局的时候应该优先考虑高速信号，避免在高速信号上打孔。如果不能避免，那走线尽量粗打孔应该尽量大。以减少寄生参数带来的影响。

BUCK电路的损耗主要体现在以下几个方面：导通损耗：在MOS管导通时，会有一定的电压降，从而产生导通损耗。开关损耗：在MOS管切换时，由于开关时间不为零，会产生一定的开关损耗。换能器损耗：BUCK电路中的电感和输出电容会产生换能器损耗。控制电路损耗：BUCK电路中的控制电路也会产生一定的损耗。这些损耗会导致电路效率降低，同时也会产生热量，需要通过散热等手段进行处理。

为了提高BUCK电路的效率，可以采取以下措施：选择低导通电阻和低开关时间的MOS管，减小导通损耗和开关损耗。合理选择电感和输出电容，尽量减小换能器损耗。优化控制电路，降低控制电路损耗。通过优化PCB布局和散热设计等手段，提高电路的散热效果，减小温升，从而提高效率。

纹波与噪声关系：纹波不等于噪声，一般示波器设置为20MHz，滤除电源的高频噪声成分，测量得到的纹波更加精准  

BUCK电路中电感器的电流会产生纹波，这会导致电路的输出也出现纹波。为了保证输出纹波的幅值和频率范围都在可接受的范围内，通常需要对电感进行合适的选择和设计。在设计BUCK电路中的电感时，需要考虑以下几点：电感的品质因数Q值，Q值越高，纹波越小。电感的值，电感值越大，纹波越小。电感的大小，物理大小越大，纹波越小。电感的电流波形，方波和三角波都会影响电感的纹波。

在考虑运放噪声时，需要关注以下几个方面：电源噪声，PCB布局布线噪声，输入信号噪声（没有好好滤波）

在实际使用中，可以通过以下方法来测试三极管的工作状态：

法一：使用万用表：将万用表的档位调整到“二极管测试”或“三极管测试”位置。接着，将三极管的基极、发射极和集电极分别接入万用表。通过测量基极与发射极、基极与集电极之间的电阻值，可以判断三极管的工作状态。例如，如果基极与发射极之间的电阻值很小，接近于0，那么三极管可能处于导通状态；如果电阻值很大或无穷大，那么三极管可能处于截止状态。

法二：观察电压和电流：通过对三极管各管脚的电压和电流进行测量，也可以判断其工作状态。例如，如果发射结是反向偏置的，那么三极管处于截止状态；如果集电极电流较大，那么三极管可能处于放大或饱和状态。同时，观察发射极和集电极之间的电压，如果只有0.3伏到0.5伏，那么三极管处于饱和状态；如果电压较大，那么三极管处于放大状态。

发射结正偏，集电结反偏——放大状态；

发射结正偏，集电结也正偏——饱和状态；

发射结反偏，集电结也反偏——截止状态。

二极管的伏安特性曲线：

CMOS、TTL逻辑电平的区别：

CMOS逻辑电平：逻辑1的电平通常在3.5V至5V之间，逻辑0的电平通常在0V至1.5V之间。在CMOS电路中，当输入电压超过某个阈值电压时，输出电路就会切换状态。CMOS电路具有高输入阻抗和低功耗的优点。

TTL逻辑电平：逻辑1的电平通常在2.4V至5V之间，逻辑0的电平通常在0V至0.8V之间。在TTL电路中，当输入电压超过某个阈值电压时，输出电路就会切换状态。TTL电路具有快速开关速度和低噪声的优点。

RS485是一种差分传输的串行通信协议，它采用两根信号线之间的电压差来确定逻辑电平。RS485的电平逻辑采用差分电平，根据两根信号线电压的差值来确定电平逻辑。发送端的逻辑0对应-2V到-6V的电压范围，而逻辑1对应+2V到+6V的电压范围。在接收端，逻辑0对应小于-200mV的电压，而逻辑1对应大于+200mV的电压。

CAN是一种用于汽车和其他实时应用的串行通信协议。CAN协议使用两根线（CAN_H和CAN_L）之间的电位差来判断总线电平。总线电平分为显性电平和隐性电平，二者必居其一。显性电平对应逻辑0，而隐性电平对应逻辑1。当CAN_H和CAN_L之间的电压差为2.5V时，表示逻辑0；当电压差为0V时，表示逻辑1。

DRAM和DRAM都是计算机内存的类型。DRAM是动态随机访问存储器，它使用电容来存储数据。DRAM需要不断地进行刷新，以防止存储的数据消失。SDRAM是同步动态随机访问存储器，它在内部使用时钟来同步数据传输。相比DRAM，SDRAM具有更快的速度和更高的带宽，而且不需要像DRAM一样频繁进行刷新操作。SDRAM可以分为DDR（双倍数据速率）和DDR2、DDR3、DDR4等不同的版本，每个版本都有自己的特点和性能。DDR SDRAM可以一次传输两次数据，从而提高带宽，而DDR2 SDRAM可以一次传输四次数据，DDR3 SDRAM可以一次传输八次数据，DDR4 SDRAM可以一次传输十六次数据，以此类推。

差分信号怎么布线:差分信号是指同时存在正负两个信号的信号，比如USB、HDMI、LVDS等标准都使用了差分信号技术，通过抵消噪声、提高信号的传输质量。因此，对于差分信号的布线要特别注意，以下是一些建议： 1.尽量保持差分对的长度相等，以防止差分信号之间的时间差。 2.尽量使差分对的两根线距离相等，以避免不必要的互感和干扰。 3.差分对的两根线应尽量并排走，而不要拐弯曲折，以减少反射和串扰。 4.差分线和信号线之间应有一定的间隔，以避免互相干扰。 5.如果需要跨PCB板传输差分信号，应使用差分对进行传输，避免信号互相干扰。 6.选择适合的差分对阻抗，并采用适当的终端电阻。

板对板之间通信通常用CAN和RS485

电路板设计中菊花链经验:RM超级电容，如下图所示,星形结构:32核心板

【选型攻略：只需3步，选出合适的电源芯片 电路设计必备】https://www.bilibili.com/video/BV1H3411z7t5?vd_source=3cc3c07b09206097d0d8b0aefdf07958

首先选择拓扑结构,其次考虑输入输出电流电压大小：

开关电源用同步结构效率更高。非同步的话有二极管效率比较低。

typeC:

支持正反插，USB2.0兼容，差分线，例如TX+和TX-两根线利用差分电平进行数据发送。

大批量生产的时候电阻可以用印刷碳膜代替。

、

电流是从滤波电容由大到小进入芯片，出芯片也是由大到小出芯片的（大电容滤低频，小电容滤高频）。

直流有刷驱动板:H桥，驱动芯片，自举电容，上桥，MOS，电机停止时候两个上管关断。

小功率的常用tb6612，L298N之类的，大功率采用H桥。

接口的ESD防护的一些措施：共模电感，TVS，陶瓷电容

三极管是电流控制元件，MOS是电压控制元件

MOSA防反接：