自记：
1.先根据mos数据手册查找参数，计算电流；
2.分立器件驱动电路图；
3.分立器件选择
仔细学，能看懂！
1.计算电流：
2.分立器件驱动电流：两种，第一种反向，第一个三极管前面可上拉，下拉，初始化MOS的关闭；第二种推挽正向
10K电阻，上电之前弥勒电容放电
10R 削减GS端震荡
3.三极管计算，以PNP为例：
PNP三极管的分析方法：
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。
晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，
我们知道NPN型晶体管有三个工作区（截止区，放大区，饱和区），同样PNP型三极管也有三个工作区。下图为两类三极管的输入输出特性曲线：
图1 npn型晶体管特性曲线
图2 pnp型晶体管的特性曲线
通过观察可以发现，npn型晶体管的输入输出特性曲线都在第一象限，而pnp型晶体管的在第三象限。说明pnp晶体管的电流和电压都和npn型晶体管的相反，那么在分析pnp型晶体管的工作状态时，就可以将其电压和电流取绝对值。之后的分析方法和npn管完全类似。
下面举例说明：
例：已知由 PNP 管组成的开关电路如图3所示。若导通电压uBE = -0.1V，饱和时 uCES= 0.1V， 试问：uI分别为0V、-2V和-5V时，管子的工作状态，对应的uO各是多少伏？
图3
解：（1）当u1 = 0V时，晶体管处于截止状态（分析时暂不考虑Rb上的压降）。
（2）当u1 = -2V，晶体管导通，晶体管可能工作在放大区，也可能工作在饱和区，此时假设晶体管工作在放大区。
| Ib | = （|U1|-|UBE|）/Rb = 0.0475mA
|Ic| = Beta*Ib = 4，75mA
Rc两端的压降为：
URc = Ic*Rc = 4.75V
Uo = uRc - 10 = -5.25V
Ubc = Ub -Uc = Ub - Uo = 5.15V
所以晶体管集电结反偏，假设成立，晶体管工作在放大区。
（3）当U1 = -5v，晶体管导通，同（2）晶体管也可能有两种工作状态，假设其工作在放大区。
| Ib | = （|U1|-|UBE|）/Rb = 0.1125mA
|Ic| = Beta*|Ib| = 11.25mA
URc = Ic*Rc = 11.25V
Uo = uRc - 10 = 1.25V
Ubc = Ub -Uc = Ub - Uo = -1.15
晶体管集电结正偏，假设不成立，晶体管工作在饱和区。
因为Uces = 0.1V
所以输出电路可以等效为下图
Uo = Uce = -0.1V
总结：对pnp管的电压和电流值取绝对值，只是为了同npn管的分析方法对应。实际分析时，也可以不取绝对值，按照一般的分析方法。即先判断晶体管的发射结是否导通，如果没有导通，那么晶体管肯定工作在截至区。如果发射结导通，晶体管可能工作在放大区，也可能工作在饱和区，需具体分析。当集电结反偏时，晶体管工作在放大区，反之，工作在饱和区。在分析时，如果不能确定晶体工作在那种状态，可以先假设一种状态（放大状态或饱和状态），然后根据已知的数据，通过计算集电结的偏转状态来确定其工作状态。
看完MOS，单片机设计一个PLC，这篇文章：用单片机设计PLC电路图-CSDN博客
如何判断三极管处于饱和导通状态：看这篇
NPN PNP SS8050 SS8550 S8050-CSDN博客
